著者
眞田 克 安富 泰輝
出版者
高知工科大学
雑誌
高知工科大学紀要 (ISSN:13484842)
巻号頁・発行日
vol.8, no.1, pp.49-56, 2011

不安定な出力論理を有するフローティング・ゲート故障に対して出力論理値を固定化する実験を行った。実験はゲートオープン故障を作り込んだInverter回路に外部からレーザを照射する方式である。その結果、出力論理は"H"固定した。同時にIDD値も変動した。この変動値は正常状態の特性の動作点に一致した。レーザ照射を止めると特性は元の状態に戻った。この現象を検証するためにゲート電極を共通にしたInverter回路の一方側にレーザを照射し他方側の出力を測定した。その結果"H"に固定した。この実験はレーザを照射することで形成される電子がフローティング・ゲート電極へ入り込み電圧を低下させていると考える。単体Trによるレーザ照射実験と合わせてこの現象を述べる。
著者
眞田 克典
出版者
東京理科大学
雑誌
基盤研究(C)
巻号頁・発行日
2017-04-01

多元環のホッホシルトコホモロジー環のリー代数構造は、コホモロジー環上に-1次のリー・ブラケットが定義され、次数付リー代数であるとともに、コホモロジー環のカップ積との間に次数付微分則が成立しているものです。これはGerstenhaber構造と呼ばれます。これまで、このGerstenhaber構造に加えて、-1次の作用素(BV作用素)の存在に関する研究が進められており、多元環によっては、リー・ブラケットがこの作用素で表現できることが知られています。この構造はBatalin-Vilkovisky構造(BV構造)と呼ばれます。BV構造は多元環に対する導来同値の不変量であることも知られ、その重要性が認識されています。すでに対称多元環のホッホシルトコホモロジー環はBV構造をもつことが知られており、次の目標として、フロベニウス多元環のホッホシルトコホモロジー環はBV構造をもつか、という問題があります。特別なフロベニウス多元環に対しては、ホッホシルトコホモロジー環に加えて、ホットシルトホモロジー、キャップ積、コンヌ作用素の組が満たす構造(Tamarkin-Tsygan calculus)を利用して、ホッホシルトコホモロジー環がBV構造をもつことが示されています。本研究課題の主要な目標は、以上を踏まえて、フロベニウス多元環に対してコホモロジーを全次元に拡張した完備ホッホシルトコホモロジー環におけるBV構造の存在性を研究すること、また具体的なフロベニウス多元環に対するBV構造を決定することです。本年度は東京理科大学の臼井智氏との共同研究でBV作用素の候補となるものを構成しました。一方で、具体的なフロベニウス多元環に関する研究としては、同大学の鯉江秀行氏、板垣智洋氏と共同で、計算例として重要な対象である自己移入的中山多元環のホッホシルト拡大の箙多元環の表示の研究に取り組みました。
著者
眞田 克
出版者
一般社団法人 電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会 基礎・境界ソサイエティ Fundamentals Review (ISSN:18820875)
巻号頁・発行日
vol.5, no.4, pp.293-301, 2012-04-01 (Released:2012-04-01)
参考文献数
16

水道管からの水漏れと同じくLSIも欠陥箇所を介して電流が漏れ出し故障に至らしめる.この漏れ電流現象はLSIを評価する重要なパラメータの一つである.しかしながらDSM(Deep Sub-Micron)化に伴うデバイス技術の進展は電流値を用いた評価を困難とした.この問題を克服すべく,テスト技術は統計処理による正常/異常値間の差分の顕在化による識別法更には電源電流の波形の相関比較やフーリエ変換による数理処理により異常の有/無を顕在化する技術が開発されている.故障診断技術は漏れ電流の特徴を用い,論理情報と組み合わせることで簡易で高精度に故障候補を特定する技術の開発で評価技術の向上が図られている.