著者

石橋 忠夫 岡本 紘

出版者

公益社団法人 日本表面科学会

雑誌

表面科学 (ISSN:03885321)

巻号頁・発行日

vol.3, no.3, pp.136-142, 1982-09-01 (Released:2009-11-11)

参考文献数

10

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GaAs-AlAs superlattices were grown by molecular beam epitaxy with various widths of the GaAs quantum well. A non-destructive X-ray diffraction technique was shown to be a practical method to measure the GaAs quantum well width Lz with an accuracy of 10%. Photoluminescence measurements showed the main carrier recombination process to be from the n=1 electron quantum level to the n=1 heavy hole level. Optical absorption spectra exhibited the sharply peaked structure assocated with excitons at room temperature. MQW laser diodes with GaAs-Asx Ga1-xAs superlattice active layers had lower threshold current density than in conventional DH laser diodes. This illustrated the good optical quality of the superlattices.

著者

伊藤 吉紀 莅戸 立夫 ハガード ピーター エリソン ブライアン 伊藤 弘 石橋 忠夫 水野 皓司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.102, no.407, pp.71-76, 2002-10-17

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ドットマトリクス型単一走行キャリアフォトダイオードをマウントした新型の導波管型フォトミクサを製作し,その特性評価を行った.波長1.55μm帯の二波長混合光をフォトダイオードに照射して高周波電流を誘起することにより,周波数75GHz〜450GHzの短ミリ波の発生を実験的に確認することに成功した.