著者

本田 耕一郎 長 康雄

出版者

公益社団法人 日本表面科学会

雑誌

表面科学 (ISSN:03885321)

巻号頁・発行日

vol.28, no.2, pp.78-83, 2007-02-10 (Released:2007-03-20)

参考文献数

11

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By applying Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy (SNDM), we succeeded in clarifying the position of the electrons/holes in the gate SiO2-Si3N4-SiO2 (ONO) film of the Metal-ONO-Semiconductor type flash memories, After the write-erase cycling operation, the electrons were found in the Si3N4 part of the ONO film. The holes, on the other hand, were found in the Si3N4 film as well as at the bottom of the SiO2 film. This indicates that the electrons and holes are apparently neutralized but exist separately. We also succeeded in clarifying that electrons exist in the poly-Si layer of the floating gate of a flash memory. We confirmed that SNDM is one of the most useful methods for observing the charge in flash memories.

著者

長 康雄

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.67, no.3, pp.327-331, 1998-03-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

14

被引用文献数

3

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強誘電材料の永久分極の状態や結晶性を評価する新しい原理に基づく走査型の顕微鏡システムを開発した.最低次の非線形誘電率は線形誘電率とは異なり自発分極の正負や結罷性に大きく依存する性質をもっており,本顕微鏡はその非線形誘電率のミク灘な分布を計測する装置である.本報告はこの原理について述べ,これを用いた強誘電材料の残留分極分布の計測を行った結果について述べる.

著者

長 康雄

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.71, no.1, pp.62-65, 2002-01-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

7

被引用文献数

2

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サプナノメ-トル領域で強誘電体の分極を可視化できる超高分解能走査型非線形誘電率顕微鏡システムを開発した.このシステムを用いて,強誘電体材料の種々のナノドメインの可視化を行った.本顕微鏡の分解能は,原子分解能に迫るところまできている.さらに,計測次数を単純に変化させるのみで,より分解能が向上する高次非線形誘電率顕微鏡の開発を行った.