著者

瀧口 吉郎 大川 裕司 宮川 和典 小杉 美津男 鈴木 四郎 久保田 節 加藤 務 設楽 圭一 谷岡 健吉 Park Wug-Dong 小林 昭 平井 忠明

出版者

一般社団法人映像情報メディア学会

雑誌

映像情報メディア学会技術報告 (ISSN:13426893)

巻号頁・発行日

vol.22, no.57, pp.13-18, 1998-10-22

被引用文献数

1

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高感度固体撮像素子を目指して、a-Seのアバランシェ増倍現象を利用したHARP光電変換膜とMOS型トランジスタからなる固体走査部とを多数のInの柱で接合した固体HARP撮像素子の研究が進められている。この固体撮像素子では走査回路の耐圧が60Vであることから、HARP膜の印加電圧が60V以下に、すなわち使用できる膜の厚さが制限される。そこで、この条件下においてもっとも良好な特性の得られるHARP膜の膜厚についての検討を行った。その結果、0.4μmの膜厚とすることで、印加電圧60Vにおいて目標とする4倍の増倍率を暗電流が抑制された状態で実現できることが明らかになった。また、HARP膜のさらなる感度向上を目的として、Te添加による光電変換効率の改善を検討し、シミュレーションと試作の両面からTe添加により緑色光に対する光電変換効率を従来の2倍以上に向上できることを確認した。

著者

Park Wug-Dong Tanioka Kenkichi

出版者

Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

雑誌

Jpn J Appl Phys (ISSN:00214922)

巻号頁・発行日

vol.48, no.4, pp.04C159-04C159-4, 2009-04-25

被引用文献数

4

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The thickness dependence of the avalanche characteristics of a tellurium (Te)-doped amorphous selenium (a-Se) high-gain avalanche rushing amorphous photoconductor (HARP) target is investigated. To improve the quantum efficiency of the a-Se HARP photoconductive target, a Te-doped a-Se photoconductive layer is sandwiched within a-Se HARP target. The avalanche multiplication factor and hole ionization coefficient of the a-Se HARP target are obtained using the result of photocurrent measurement. The multiplication factor in the avalanche mode exponentially increases with increasing electric field by avalanche multiplication phenomena over the threshold field. The quantum efficiency of the 8-μm-thick a-Se HARP target in the avalanche mode is higher than that of the thin HARP target below 2 μm thickness. Also the spectral response, decay lag, and light-transfer characteristics are studied.

著者

Park Wug-Dong Tanioka Kenkichi

出版者

Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

雑誌

Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes (ISSN:00214922)

巻号頁・発行日

vol.42, no.4, pp.1954-1956, 2003-04-15

被引用文献数

11

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In this paper, spectral responses of Te-doped a-Se HARP (High-gain Avalanche Rushing amorphous Photoconductor) thin films for a solid state image sensor have been reported. Te concentrations of Te-doped layer in a-Se HARP thin film were 15 wt.% and 26 wt.%, and thicknesses of Te-doped layer were 60 nm, 90 nm, and 120 nm. Spectral responses of Te-doped a-Se HARP films were investigated at bias voltages of 40 V and 60 V. Relative sensitivity and quantum efficiency of a-Se HARP films at 60 V were found to be improved by the increase of Te-doped layer thickness. This improvement is explained by the increased photogeneration efficiency at long wavelength region by the increase of Te-doped layer thickness and avalanche multiplication of the photogenerated carriers at a high electric field.