著者
古谷 博史 多田 仁
出版者
京都教育大学
雑誌
京都教育大学紀要 (ISSN:03877833)
巻号頁・発行日
no.103, pp.47-57, 2003-09

本論文では,大学生を対象にしたFORTRANプログラムの演習における,デバッグ段階についての研究結果を報告する。学習者のデバッグ作業に影響を与える要因としてプログラムの構成要素に着目し,文字数や行数,条件分岐や繰り返し等,プログラム課題の構成が,学習者のデバッグテストの成績に影響を及ぼしているか分析した。その結果,以下の結果が得られた。1)プログラム内の文字数や行数の多さは,学習者のデバッグに影響を与えている。2)文字数,入出力文の数,IF文の複雑さを説明変数とする重回帰分析によって,与えられたプログラムにおけるデバッグの難易度をある程度予測することが可能である。また,デバッグテストの成績とプログラミング経験,得意科目などのアンケート結果との関連も議論した。This paper describes results of a study on the debugging stage in a FORTRAN programming exercise for university students. We focus on elements of a program that may affect the program debugging of learners. We analyze the effect of components in test programs such as the numbers of characters and lines, the existence of the "if" and "repeat" statements on the achievement of learners in a debugging test. We find that 1) the numbers of characters and lines affect debugging by learners, and that 2) we can estimate the difficulty of debugging of a given program by using the multiple regression method with the number of characters, the number of input-output statements, and the complexity of "if statements. We also discuss the relationship between the grade of the debugging test and the result of a questionnaire regarding such topics as experience in programming, and strong subjects.
著者
宮崎 泰典 岡田 規男 菅井 貴義 多田 仁史 宮原 利治 高木 和久 青柳 利隆 八田 竜夫 大村 悦司
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.103, no.33, pp.29-34, 2003-04-18
参考文献数
10

光送信機用変調光源には,広変調帯域幅,高出力光強度,高消光比,良好な出力光波形,低伝送ペナルティの両立を要求される.電界吸収型光変調器(EAM)は超高速光送信機の小型化に有用な半導体デバイスであるが,従来は40Gbpsにおいてこれらを両立した報告はなかった.今回,EAMに,(1)キャパシタンス低減に有利な半絶縁性基板,(2)高光出力時低チャープ動作が可能な伸張歪非対称量子井戸吸収層,を用いて40Gbpsにおける低チャープ・高光出力動作を初めて実現した.更に(3)EA変調器モジュールにドライバICを内蔵し,同軸ケーブルやコネクタによる高周波特性悪化を抑えた.その結果,EA変調器モジュールとしてITU-T G.693規格(出力光強度,アイマスク規定,消光比,伝送ペナルティ)を満たすことを確認した.
著者
宮崎 泰典 岡田 規男 菅井 貴義 多田 仁史 宮原 利治 高木 和久 青柳 利隆 八田 竜夫 大村 悦司
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.103, no.35, pp.29-34, 2003-04-18
参考文献数
10

光送信機用変調光源には,広変調帯域幅,高出力光強度,高消光比,良好な出力光波形,低伝送ペナルティの両立を要求される.電界吸収型光変調器(EAM)は超高速光送信機の小型化に有用な半導体デバイスであるが,従来は40Gbpsにおいてこれらを両立した報告はなかった.今回,EAMに,(1)キャパシタンス低減に有利な半絶縁性基板,(2)高光出力時低チャープ動作が可能な伸張歪非対称量子井戸吸収層,を用いて40Gbpsにおける低チャープ・高光出力動作を初めて実現した.更に(3)EA変調器モジュールにドライバICを内蔵し,同軸ケーブルやコネクタによる高周波特性悪化を抑えた.その結果,EA変調器モジュールとしてITU-TG693規格(出力光強度,アイマスク規定,消光比,伝送ペナルティ)を満たすことを確認した.
著者
宮崎 泰典 岡田 規男 菅井 貴義 多田 仁史 宮原 利治 高木 和久 青柳 利隆 八田 竜夫 大村 悦司
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.103, no.34, pp.29-34, 2003-04-18

光送信機用変調光源には,広変調帯域幅,高出力光強度,高消光比,良好な出力光波形,低伝送ペナルティの両立を要求される`電界吸収型光変調器(EAM)は超高速光送信機の小型化に有用な半導体デバイスであるが,従来は40Gbpsにおいてこれらを両立した報告はなかった.今回,EAMに,(1)キャパシタンス低減に有利な半絶縁性基板,(2)高光出力時低チャープ動作が可能な伸張歪非対称量子井戸吸収層,を用いて40Gbpsにおける低チャープ・高光出力動作を初めて実現した.更に(3)EA変調器モジュールにドライバICを内蔵し,同軸ケーブルやコネクタによる高周波特性悪化を抑えた.その結果,EA変調器モジュールとしてITU-TG.693規格(出力光強度,アイマスク規定,消光比,伝送ペナルティ)を満たすことを確認した.