著者

山下 将嗣 中島 佐知子 大谷 知行 川瀬 晃道

出版者

社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会誌 (ISSN:09135693)

巻号頁・発行日

vol.89, no.6, pp.481-487, 2006-06-01

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我々はテラヘルツ波の物質に対する透過特性を利用したテラヘルツ分光イメージングシステム,及びフェムト秒レーザ走査による物質からのテラヘルツ波放射を用いたレーザテラヘルツエミッション顕微鏡の開発を進めている.本稿では,これらのイメージングシステムの応用例として,薬物のテラヘルツ帯分光情報を用いた郵便物内の違法薬物識別技術,及びレーザテラヘルツエミッション顕微鏡によるLSI内部の故障箇所絞り込み技術への応用について紹介する.

著者

山下 将嗣 中島 佐知子 大谷 知行 川瀬 晃道

出版者

社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会誌 (ISSN:09135693)

巻号頁・発行日

vol.89, no.6, pp.481-487, 2006-06-01

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我々はテラヘルツ波の物質に対する透過特性を利用したテラヘルツ分光イメージングシステム,及びフェムト秒レーザ走査による物質からのテラヘルツ波放射を用いたレーザテラヘルツエミッション顕微鏡の開発を進めている.本稿では,これらのイメージングシステムの応用例として,薬物のテラヘルツ帯分光情報を用いた郵便物内の違法薬物識別技術,及びレーザテラヘルツエミッション顕微鏡によるLSI内部の故障箇所絞り込み技術への応用について紹介する.

著者

山下 将嗣 二川 清 斗内 政吉 大谷 知行 川瀬 晃道

出版者

一般社団法人 レーザー学会

雑誌

レーザー研究 (ISSN:03870200)

巻号頁・発行日

vol.33, no.12, pp.855-859, 2005-12-15 (Released:2014-03-26)

参考文献数

10

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Inspection and failure analysis of large-scale integrated circuits (LSI) have become a critical issue, as there is an increasing demand for quality and reliability in LSIs. Recently, we have proposed a laser THz emission microscope (LTEM) for inspecting electrical failures in LSIs, which detects the THz emission from LSIs by scanning them with femtosecond laser pulses. We successfully obtained the THz emission image of MOSFETs without bias voltage. We also measured MOSFETs in which the connection lines from the electrodes to the p-n junctions were interrupted, and found that the polarity of the temporal waveform of the THz emission from the pn junction in damaged MOSFETs has the opposite sign compared to that in normal MOSFETs. This result indicates that the LTEM can be used for the inspection of MOSFETs without bias voltage, which is attractive for the testing of semiconductor devices during the manufacturing process.

著者

山下 将嗣 中島 佐知子 大谷 知行 川瀬 晃道

出版者

社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会誌 (ISSN:09135693)

巻号頁・発行日

vol.89, no.6, pp.481-487, 2006-06-01 (Released:2011-06-27)

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我々はテラヘルツ波の物質に対する透過特性を利用したテラヘルツ分光イメージングシステム,及びフェムト秒レーザ走査による物質からのテラヘルツ波放射を用いたレーザテラヘルツエミッション顕微鏡の開発を進めている.本稿では,これらのイメージングシステムの応用例として,薬物のテラヘルツ帯分光情報を用いた郵便物内の違法薬物識別技術,及びレーザテラヘルツエミッション顕微鏡によるLSI内部の故障箇所絞り込み技術への応用について紹介する.