著者

川瀬 晃道 TRIPATHI SAROJ RAMAN TRIPATHI Saroj Raman TRIPATHI S. R.

出版者

名古屋大学

雑誌

特別研究員奨励費

巻号頁・発行日

2013-04-01

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本研究の目的は、汗腺のミリ波・テラヘルツ波帯でのアンテナとしての機能を検証することにより、生体とミリ波・テラヘルツ波の相互作用について明らかにすることである。そこで本研究では汗腺がヘリカルアンテナとして機能した場合軸モードとノーマルモードについて調べた。昨年の研究では汗腺の軸モードで共振周波数 442±72 GHz という値を得たが本年度は特にノーマルモードに着目し、共振周波数の計算を行った。そこでまず汗腺の様々なパラメータ例えば汗腺の直径、巻き数、長さ等の情報を得るためOptical Coherence Tomography (OCT) を用い32人の被験者に対して計測を行った。その結果平均直径は 95μm、平均長さは304μmと平均巻き数は5であった。これらのデータの基に汗腺がノーマルモードで機能した場合約 130GHz 付近で共振する可能性があるという結果を得られた。

著者

山崎 良 加藤 三樹矢 村手 宏輔 今山 和樹 川瀬 晃道

出版者

公益社団法人 精密工学会

雑誌

精密工学会誌 (ISSN:09120289)

巻号頁・発行日

vol.82, no.3, pp.217-220, 2016-03-05 (Released:2016-03-05)

参考文献数

5

著者

山下 将嗣 中島 佐知子 大谷 知行 川瀬 晃道

出版者

社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会誌 (ISSN:09135693)

巻号頁・発行日

vol.89, no.6, pp.481-487, 2006-06-01

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我々はテラヘルツ波の物質に対する透過特性を利用したテラヘルツ分光イメージングシステム,及びフェムト秒レーザ走査による物質からのテラヘルツ波放射を用いたレーザテラヘルツエミッション顕微鏡の開発を進めている.本稿では,これらのイメージングシステムの応用例として,薬物のテラヘルツ帯分光情報を用いた郵便物内の違法薬物識別技術,及びレーザテラヘルツエミッション顕微鏡によるLSI内部の故障箇所絞り込み技術への応用について紹介する.

著者

山下 将嗣 中島 佐知子 大谷 知行 川瀬 晃道

出版者

社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会誌 (ISSN:09135693)

巻号頁・発行日

vol.89, no.6, pp.481-487, 2006-06-01

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我々はテラヘルツ波の物質に対する透過特性を利用したテラヘルツ分光イメージングシステム,及びフェムト秒レーザ走査による物質からのテラヘルツ波放射を用いたレーザテラヘルツエミッション顕微鏡の開発を進めている.本稿では,これらのイメージングシステムの応用例として,薬物のテラヘルツ帯分光情報を用いた郵便物内の違法薬物識別技術,及びレーザテラヘルツエミッション顕微鏡によるLSI内部の故障箇所絞り込み技術への応用について紹介する.

著者

山下 将嗣 二川 清 斗内 政吉 大谷 知行 川瀬 晃道

出版者

一般社団法人 レーザー学会

雑誌

レーザー研究 (ISSN:03870200)

巻号頁・発行日

vol.33, no.12, pp.855-859, 2005-12-15 (Released:2014-03-26)

参考文献数

10

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Inspection and failure analysis of large-scale integrated circuits (LSI) have become a critical issue, as there is an increasing demand for quality and reliability in LSIs. Recently, we have proposed a laser THz emission microscope (LTEM) for inspecting electrical failures in LSIs, which detects the THz emission from LSIs by scanning them with femtosecond laser pulses. We successfully obtained the THz emission image of MOSFETs without bias voltage. We also measured MOSFETs in which the connection lines from the electrodes to the p-n junctions were interrupted, and found that the polarity of the temporal waveform of the THz emission from the pn junction in damaged MOSFETs has the opposite sign compared to that in normal MOSFETs. This result indicates that the LTEM can be used for the inspection of MOSFETs without bias voltage, which is attractive for the testing of semiconductor devices during the manufacturing process.

著者

山下 将嗣 中島 佐知子 大谷 知行 川瀬 晃道

出版者

社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会誌 (ISSN:09135693)

巻号頁・発行日

vol.89, no.6, pp.481-487, 2006-06-01 (Released:2011-06-27)

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我々はテラヘルツ波の物質に対する透過特性を利用したテラヘルツ分光イメージングシステム,及びフェムト秒レーザ走査による物質からのテラヘルツ波放射を用いたレーザテラヘルツエミッション顕微鏡の開発を進めている.本稿では,これらのイメージングシステムの応用例として,薬物のテラヘルツ帯分光情報を用いた郵便物内の違法薬物識別技術,及びレーザテラヘルツエミッション顕微鏡によるLSI内部の故障箇所絞り込み技術への応用について紹介する.