著者

徳光 永輔

出版者

北陸先端科学技術大学院大学

雑誌

基盤研究(B)

巻号頁・発行日

2012-04-01

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本研究の目的は、大きな電荷密度を誘起できる強誘電体または高誘電率材料を用いて、面積を可変できる酸化物伝導体の電極構造を提案し、これを利用して集積化可能な小型・高性能の可変容量キャパシタを実現することである。本研究では、まず提案する素子を実現するための強誘電体(Bi,La)4Ti3O12(BLT)膜形成条件の最適化と溶液プロセスによる高誘電率材料の探索を実施した。次にITOまたはIn2O3をチャネルに用いた薄膜トランジスタ型の素子を試作して動作検証を行い、約1500%のゲート電圧による容量変化を実現した。さらに素子のスイッチング特性の改善およびナノインプリントを用いた素子の微細化を実施した。

著者

木村 睦 中島 康彦 ZHANG Renyuan 松田 時宜 羽賀 健一 徳光 永輔

出版者

奈良先端科学技術大学院大学

雑誌

基盤研究(C)

巻号頁・発行日

2019-04-01

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人工知能は、未来の社会の中心となる技術であるが、巨大なサイズと膨大な電力が問題である。ニューロモーフィックシステムは、脳の模倣で、コンパクト化・低消費電力化が期待できる。そこで、我々は、超コンパクト・超低パワーの『リアルニューロモーフィックシステム』の研究を、アーキテクチャ:単一アナログデバイス/マテリアル : アモルファス金属酸化物半導体/アルゴリズム:局所的学習則の3つの観点から進めている。本研究では、上記の新技術を導入したニューロモーフィックシステムの動作を、シミュレーション・実機で確認し、実用的かつ人間の脳と同様な超コンパクト・低パワーの汎用人工知能の可能性を検討する。

著者

徳光 永輔 石原 宏

出版者

The Surface Finishing Society of Japan

雑誌

表面技術 (ISSN:09151869)

巻号頁・発行日

vol.51, no.7, pp.669-675, 2000-07-01 (Released:2009-10-30)

参考文献数

17

著者

徳光 永輔 宮迫 毅明 妹尾 賢

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.104, no.156, pp.53-56, 2004-06-24

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本稿では、ゾルゲル法により成膜過程に、減圧での仮焼成プロセスを導入してPb(Zr,Ti)0_3(PZT)薄膜を作製した結果について述べる。減圧仮焼成を導入することによって、良好な電気的特性と表面平坦性を有するPZT強誘電体薄膜を作製することができた。600℃で結晶化アニールを施したPZT薄膜において得られた残留分極(Pr)、抗電界(E_C)の値は、それぞれ35μC/cm^2、64kV/cmであった。さらにこのPZT薄膜をゲート絶縁膜として用い、インジウム・スズ酸化物(ITO)をチャネルとした薄膜トランジスタを作製し、良好なトランジスタ動作を確認した。試作したデバイスは強誘電体による不揮発性メモリ機能を実現している。

著者

今田 将吾 徳光 永輔 石原 宏

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.99, no.671, pp.13-18, 2000-03-09

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分子線エピタキシー(MBE)法を用いて、強誘電体YMO(YMnO_3)薄膜をSi(111)基板上へエピタキシャル成長した。この際、バッファ層としてY_2O_3を用いた。RHEEDによるその場観察及びX線回折測定結果より、ロッキングカーブの半値幅が0.7゜程度の良好な結晶性を有するYMO薄膜がSi(111)基板上にエピタキシャル成長していることを確認した。また、MFISFET(金属-強誘電体-絶縁体-半導体FET)を作製するために、まずY_2O_3バッファ層のみでMISFET(金属-絶縁体-半導体FET)を作製し、そのトランジスタ動作を確認した。最後に、MFISFETを作製し、強誘電体YMO薄膜を用いたものとしては、はじめてトランジスタ動作を確認した。

著者

今田 将吾 徳光 永輔 石原 宏

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.99, no.673, pp.13-18, 2000-03-09

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分子線エピタキシー(MBE)法を用いて、強誘電体YMO(YMnO_3)薄膜をSi(111)基板上へエピタキシャル成長した。この際、バッファ層としてY_2O_3を用いた。RHEEDによるその場観察及びX線回折測定結果より、ロッキングカーブの半値幅が0.7°程度の良好な結晶性を有するYMO薄膜がSi(111)基板上にエピタキシャル成長していることを確認した。また、MFISFET(金属ー強誘電体ー絶縁体ー半導体FET)を作製するために、まずY_2O_3バッファ層のみでMISFET(金属ー絶縁体ー半導体FET)を作製し、そのトランジスタ動作を確認した。最後に、MFISFETを作製し、強誘電体YMO薄膜を用いたものとしては、はじめてトランジスタ動作を確認した。