著者

橋詰 保 谷田部 然治 佐藤 威友

出版者

公益社団法人 日本表面科学会

雑誌

表面科学 (ISSN:03885321)

巻号頁・発行日

vol.35, no.2, pp.96-101, 2014-02-10 (Released:2014-02-19)

参考文献数

13

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Interface properties of GaN-based heterostructures have been characterized. Schottky contacts on dry-etched n-GaN layers showed leaky I-V characteristics. An anneal process at 400°C was effective in recovering the rectifying characteristics. To characterize interface properties of Al2O3 insulated gates on AlGaN/GaN structures with and without the inductively coupled plasma (ICP) etching of AlGaN, we have developed a C-V calculation method taking into account electronic state charges at the Al2O3/AlGaN interface and a photoassisted C-V technique utilizing photons with energies less than the bandgap of AlGaN. It was found that the ICP etching caused the monolayer-level interface roughness, disorder of the chemical bonds and formation of various types of defect complexes at the AlGaN surface, resulting in poor C-V characteristics due to high-density interface states at the Al2O3/AlGaN interface.

著者

橋詰 保 堀 祐臣 赤澤 正道

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.112, no.154, pp.17-20, 2012-07-19

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AlInN/GaN界面のバンドオフセットと、界面スペーサ層が電子密度分布に与える影響について評価した。角度分解XPS評価により、価電子帯のオフセットが約0.2eV、伝導帯オフセットが0.9eV程度であることが明らかになった。これらの値は、両性欠陥モデルに基づくフェルミ準位安定化エネルギーの計算から求めた値とよく一致した。表面モフォロジーの改善に効果のあるAl_<0.38>Ga_<0.62>Nスペーサ層は、Al_<0.82>In_<0.18>N/Al_<0.38>Ga_<0.62>N界面のポテンシャル井戸と分極による界面電荷により電子蓄積が生じることを明らかにした。これを抑制するためAl_<0.45>Ga_<0.55>Nスペーサ層を提案し、MOS構造のC-V評価により、AlInN/Al_<0.45>Ga_<0.55>N界面に電子蓄積が生じにくいことを示した。