著者

財満 鎭明 安田 幸夫

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.63, no.11, pp.1093-1105, 1994-11-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

55

被引用文献数

12

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シリコン大規模集積回路 (ULSI) の極微細化とともに,オーミックコンタクト抵抗やその信頼性が,デバイスの高性能化を制限しかねない状況に至っている.このため,金属/半導体界面の微視的な固相反応の理解と,新しい低抵抗コンタクト材料の開発が必要となっている.本報告では, Ti, Zr, Hfなどの高融点金属とシリコンの界面におけるシリサイド形成と電気的特性の関係を明らかにし,コンタクト抵抗率を支配している要因を界面反応,化学組成,結晶学的構造などの観点から議論する.

著者

財満 鎭明 竹中 充 坂下 満男 田中 信夫 竹内 和歌奈 中塚 理 高木 信一

出版者

名古屋大学

雑誌

特別推進研究

巻号頁・発行日

2010

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CMOSデバイスの省電力、高速化に向けて、高キャリア移動度歪GeおよびGeSn層の結晶成長と電子物性制御に関する研究を推進した。基板構造の制御、低温成長、歪構造制御技術を駆使して、27%にまで達する超高Sn組成GeSn層成長やGeエピタキシャル層の双晶・積層欠陥低減を実現した。さらに、GeSn層の点欠陥、キャリア物性やMOS界面構造制御技術を構築するとともに、GOIおよびSGOI基板を作製し、その高キャリア移動度を実証した。