- 著者
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財満 鎭明
竹中 充
坂下 満男
田中 信夫
竹内 和歌奈
中塚 理
高木 信一
- 出版者
- 名古屋大学
- 雑誌
- 特別推進研究
- 巻号頁・発行日
- 2010
CMOSデバイスの省電力、高速化に向けて、高キャリア移動度歪GeおよびGeSn層の結晶成長と電子物性制御に関する研究を推進した。基板構造の制御、低温成長、歪構造制御技術を駆使して、27%にまで達する超高Sn組成GeSn層成長やGeエピタキシャル層の双晶・積層欠陥低減を実現した。さらに、GeSn層の点欠陥、キャリア物性やMOS界面構造制御技術を構築するとともに、GOIおよびSGOI基板を作製し、その高キャリア移動度を実証した。