- 著者
-
高木 信一
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.74, no.9, pp.1158-1170, 2005-09-10 (Released:2019-09-27)
- 参考文献数
- 122
- 被引用文献数
-
4
微細化に伴う種々の物理限界要因により,従来のスケーリングのみでは難しくなっているSi MOSFETの性能向上を実現する技術として,近年注目が集まっている,高移動度・高速度チャネルを用いたCMOSデバイス技術について紹介する.微細チャネル下での駆動力向上手法について,反転層中の電子状態,特にサブバンド構造の最適設計の観点から,その物性的背景を総括するとともに,ひずみSi,Ge,超薄膜チャネルなどに関する最近の実験結果を述べることにより,今後のMOSデバイス技術を牽引していくと考えられる,高移動度チャネルMOSトランジスタ技術を展望する.