著者

小西 進

出版者

The Japan Society of Applied Physics

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.53, no.4, pp.326-330, 1984

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従来の磁性記憶は磁気記録,磁気バブルメモリーを問わず磁性膜中の磁区を記億の担体としている.ところで磁気バブルでは垂直磁化ガーネット膜が開発されて以来,プロッホラインと呼ばれる磁壁微細構造を100本程度もバブルを囲む磁壁中に含むハードバブルの存在が知られていた.プロッホラィンは安定で磁界を加えると磁壁にそって移動することも実験・理論の面から明らかにされている.磁区に代わり,もしプロッホラインを記憶の担体として利用することができれば超高密度の磁性圏体記憶素子が実現できよう.本稿では,最近筆者が提案したヅロッホラインメモリーの概要を述べる.

著者

馬来 国弼

出版者

The Japan Society of Applied Physics

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.57, no.12, pp.1856-1867, 1988

被引用文献数

8

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新素材の要にある薄膜の応力や, LSIなどの素子の微細化にともなって微小な膜の応力の知見が必要になっている,そこで,まず, 1960年代に確立した薄膜の応力評儀法について述べ,応力が膜の成長や構造変化にともなって発生する内部応力と熱応力とに区分されることを再確認したい.つぎに,引っ張り応九圧縮応力の発生が膜作成条件や作成法によっていることを示す.その特徴を, (1) 結晶などの粒子がのぴたり,収縮しようとしている, (2) 粒界の消滅に応じて下地をまげる応力が発生する,という見解を用いて検討し,膜・下地界面や結晶粒界などにおける応力の局所解析の必要性について触れたい.

著者

深田 栄一 安田 栄夫 小原 二郎 岡本 一

出版者

The Japan Society of Applied Physics

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.26, no.1, pp.25-28, 1957

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The dynamic Young's modulus and the piezoelectric constant of old timbers have been measured. They increase with time during the first about 300 years, then decrease gradually. The relation between the modulus and the constant is linear, indicating that both depend on the crystalline region content of cellulose fibers. The changes of the modulus and the constant with time can be explained by the crystallization and the heat dissociation of cellulose molecules that go on for long years.

著者

Recht Daniel Hutchinson David Cruson Thomas DiFranzo Anthony McAllister Andrew Said Aurore J. Warrender Jeffrey M. Persans Peter D. Aziz Michael J.

出版者

The Japan Society of Applied Physics

雑誌

Applied physics express (ISSN:18820778)

巻号頁・発行日

vol.5, no.4, pp.41301-041301-3, 2012-04-25

被引用文献数

6

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Photoconductivity in silicon hyperdoped with sulfur and selenium above the insulator-to-metal transition was measured via photoinduced changes in the microwave reflectivity of hyperdoped layers formed on p-type silicon. Despite these materials' strong subgap optical absorption, exposing them to 1310 and 1550 nm light results in a change in conductivity per photon 10,000 times smaller than what is observed in untreated silicon exposed to 980 nm light. A similar bound applies for 405 nm light, which is absorbed entirely in the hyperdoped layer. We use these results to deduce that the photocarrier lifetime in the hyperdoped material is {\leq}100 ns.