2 0 0 0 OA ビスマス・テルライドの結晶構造の温度依存性
- 著者
- 大杉 功 加藤 雅彦 米田 征司
- 出版者
- サレジオ工業高等専門学校
- 雑誌
- サレジオ工業高等専門学校研究紀要 (ISSN:18812538)
- 巻号頁・発行日
- vol.35, pp.73-76, 2009
Experiment was made on temperature dependence of the crystal structure of bismuth telluride, which has recently been investigated as a thermoelectric energy conversion material as well as an electronic cooling material. The crystal lattice parameters estimated from the powder X-ray diffraction profiles increasedmonotonously at low temperatures below 350 °C, while they abruptly changed and some other profiles than those of the telluride appeared at 400°C. The result of this experiment suggested that the crystal lattice is normally expanded at low temperatures below 350°C, while it is abruptly changed by dissociation andsublimation of the elements and some other substances such as oxides are composed at 400°C.
半導体や金属の伝導現象を解析するためには,フェルミ・ディラック積分を計算しなければならない.従来この計算は極端な近似のもとで実行されてきたため,ウィルソン・モデルに基づく説明の一貫性が失われていた.そこで,パーソナルコンピュータを使用してフェルミ・ディラック積分を計算するプログラムを提案する.このプログラムを使用すれば,半導体や金属の伝導現象を一貫して解析することができ,高専の高学年の学生でも十分その内容を理解させることができる.
1 0 0 0 Cu添加FeSi2積層デバイスの作製
- 著者
- 新関 尚宏 加藤 雅彦 大杉 功 小島 勉
- 出版者
- サレジオ工業高等専門学校
- 雑誌
- サレジオ工業高等専門学校研究紀要 (ISSN:18812538)
- 巻号頁・発行日
- no.33, pp.55-57, 2007
Thin laminated devices were successfully made from alumina and PVA in the insulating interlayers in order to produce integral laminated devices more useful for reducing the contact resistance than the conventional laminated devices using the ceramic solder. The proposed process by using alumina powder enables to produce integral laminated devices more reliable than those using PVA powder because of superior insulation characteristics and stability at high temperatures. Multi-layered devices are expected to be produced from finer alumina powders using this process.