著者

平川 一彦 川口 康 山中 宏治 小宮山 進

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.68, no.9, pp.1027-1033, 1999

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シリコンMOS反転層や繁導体ヘテロ構造界衛に蓄積ずる二次元電子系に強磁場を印加することに より発現する量子ホール効果は,その精密なホール抵抗の量子化のため,抵抗標準への応用が進められ てきた.しかし,最近,量子ホール効粟状態における特異な電子状態を積極的に利用することにより, 超高感度の遠赤外光検出が可能であることが明らかになってきた.しかも,その光検出感度は,市販の 遠赤外光検出器であるシソコンボロメーターの100~1000倍にも達する。本解説では,量子ホール効果 を用いた超高感度遠赤外光検出の物理機構とその応用に関するわれわれの最近の概究を紹介する.

著者

平川 一彦 荒川 泰彦 岩本 敏

出版者

東京大学

雑誌

基盤研究(A)

巻号頁・発行日

2010

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我々は、半導体量子構造を強いテラヘルツ電磁場の中に置き、その量子伝導を制御することを目的として研究を行った。主な成果は以下の通りである;1)半導体超格子に強いテラヘルツ電磁波を照射することにより、高電界ドメインの発生を抑制することに成功した。2)量子ドットにナノギャップ電極を形成することにより、量子ドットとテラヘルツ電磁波の強い結合を実現し、テラヘルツ光子支援トンネル効果により単一電子の伝導を制御することに成功した。