1 0 0 0 OA 強誘電体メモリーの基礎特性と今後の展開
- 著者
- 國尾 武光 波田 博光
- 出版者
- 公益社団法人 応用物理学会
- 雑誌
- 応用物理 (ISSN:03698009)
- 巻号頁・発行日
- vol.70, no.1, pp.74-78, 2001-01-10 (Released:2009-02-05)
- 参考文献数
- 7
- 被引用文献数
- 1
高速・不揮発動作が可能な強誘電体メモリー (FeRAM) が注目され,実用化に向けた研究開発が開始されてから10年以上が経過する.このように長い年月の精力的な開発努力の末,強誘電体メモリーがようやく実用化の段階に入った.携帯機器や混載LSI用として有望な強誘電体メモり一の基本動作原理,強誘電体材料の特徴,製法上の特徴と実際のメモリーセルの構造について解説し,今後の強誘電体メモリーの応用分野と展開についても簡単に触れる.