著者
福島 圭亮 加藤 正史 市村 正也 兼近 将一 石黒 修 加地 徹
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.107, no.56, pp.23-28, 2007-05-17
参考文献数
9

窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチング工程は不可欠である.GaNのエッチング技術としてプラズマエッチングの1つであるICP(Inductively coupled plasma)エッチングは有効であるが,試料表面にダメージ層を形成することがわかっている.本研究ではICPエッチング処理を施したGaNに対し,マイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法により過剰キャリアライフタイムを測定した.減衰曲線の温度依存特性を測定することでICPエッチングダメージが導入する欠陥準位の特性を評価した.そしてICPエッチング処理を施したGaNにアニール処理をし,アニール温度による過剰キャリアライフタイムの変化を観測することでアニールの効果を議論した.
著者
後藤 文孝 白井 克典 森口 幸久 市村 正也
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
巻号頁・発行日
vol.96, no.66, pp.33-38, 1996-05-23
参考文献数
13

CdSO_4とNa_2S_2O_3を含み、pH値を釣2.5にした溶液から、ネサガラス(In_2O_3)基板上に、電気化学的堆積(electrochemically deposition)法によりCdS薄膜を作製した。これを窒素、空気、酸素の各雰囲気において200〜500℃で30分間アニールした。He-Cdレーザを用いて77Kでフォトルミネッセンス測定を行うと、窒素雰囲気アニールの場合、アニール温度が高いほど、488nmのバンド始発光は弱くなり、より長波長側に欠陥準位を介した発光が現れた。しかし、空気、酸素雰囲気アニールの場合、アニール温度に関わらずバンド始発光が強く観測され、欠陥準位を介した発光の長波長側へのシフトはみられなかった。また、ピークの幅は、酸素雰囲気アニールの方が狭くなった。
著者
市村 正也
出版者
一般社団法人 日本真空学会
雑誌
Journal of the Vacuum Society of Japan (ISSN:18822398)
巻号頁・発行日
vol.58, no.8, pp.273-281, 2015 (Released:2015-09-04)
参考文献数
5
被引用文献数
3

The purpose of this article is to provide an introduction to vacuum science and technology for absolute beginners. The kinetic theory of gases is briefly described in the initial introductory part. The body of this article is divided into three parts. The first part deals with vacuum pumps. The operation principles are explained for several popular types of vacuum pumps. The second part deals with vacuum gauges. The operations of commonly used vacuum gauges are discussed. The third one deals with vacuum-tight connection with tubes and flanges. Throughout the text, basic concepts and technical terms are explained so that the text can be easily understood even by very beginners. Caution points for using vacuum systems are also given.