著者

岩根 美枝 矢嶋 摂子 野村 英作 谷口 久次 木村 恵一

出版者

公益社団法人 日本分析化学会

雑誌

分析化学 (ISSN:05251931)

巻号頁・発行日

vol.54, no.6, pp.527-531, 2005 (Released:2005-08-31)

参考文献数

15

被引用文献数

1 1

---

還元剤として没食子酸エステル部位を有するカリクス[4]アレーン誘導体を用い,エタノール中で銀イオンを還元することにより生じた銀コロイドの表面プラズモン吸収を紫外可視分光光度法により観察した.その結果,銀コロイドに基づく吸収が観察され,その吸光度は時間依存性を示した.これは,生成した銀コロイドが不安定であることを示している.試料溶液を調製後,一定時間経過してから,安定剤としてポリビニルピロリドンを添加したところ,吸光度の時間変化を抑制でき,銀コロイドを安定化することができた.また,銀イオン濃度依存性について検討したところ,銀イオン濃度が1 × 10-5 M以下では,銀イオン濃度の増加に応じて吸光度が増加し,銀イオン定量の可能性が示唆された.

著者

石川 祥 木村 昌臣

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会総合大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.2006, no.1, 2006-03-08

著者

舘野 幸司 木村 利定

出版者

一般社団法人 日本アレルギー学会

雑誌

アレルギー

巻号頁・発行日

vol.14, no.7, pp.387-388, 1965

著者

秋庭 義明 木村 英彦 原 航平 田中 啓介

出版者

公益社団法人 日本材料学会

雑誌

材料 (ISSN:05145163)

巻号頁・発行日

vol.54, no.7, pp.698-703, 2005 (Released:2006-04-07)

参考文献数

13

---

Single edge notched specimens of a unidirectional SiC long fiber reinforced titanium alloy were fatigued under four point bending. Propagation behavior of fatigue cracks was observed on the basis of the effect of the fiber bridging. The branched fatigue cracks were initiated from the notch root. The crack propagation rate decreased with crack extension due to the crack bridging by reinforced fibers. The longitudinal stress in the reinforced fiber was measured by using high spatial resolution synchrotron radiation. The interfacial frictional stress between the matrix and the fiber could be directly determined by X-ray method. The bridging stress was also measured as a function of a distance from a crack-tip. The stress intensity factor range corrected on the basis of the shielding effect agreed well with that for the monolithic titanium alloy, when compared at the same crack propagation rate.

著者

木村芥舟 著

出版者

交詢社

巻号頁・発行日

1892

著者

武山 洋士 瀬野尾 和隆 大槻 隆 木村 光照

出版者

一般社団法人 電気学会

雑誌

電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌) (ISSN:13418939)

巻号頁・発行日

vol.122, no.5, pp.280-284, 2002 (Released:2003-03-28)

参考文献数

8

被引用文献数

1

---

Semiconductor magnetodiode with very small size, which has similar operation-principle to the SMD (Sony magnetodiode), has been fabricated on a thin Si film of SOI substrate and its fundamental characteristics are evaluated. This magnetodiode is able to fabricate together with ICs such as amplifier, driving circuits, compensation circuits, etc. using the update semiconductor IC technologies on a Si chip. Double injection in this magnetodiode is confirmed, and the magnetic sensitivity of ΔI/I0∼=10% at H=1kOe is obtained in this double injection regime even under non-optimized conditions.