著者
中原 勝儼
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
金属表面技術 (ISSN:00260614)
巻号頁・発行日
vol.29, no.3, pp.150-157, 1978-03-01 (Released:2009-10-30)
参考文献数
9
著者
椙山 正孝
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
金属表面技術 (ISSN:00260614)
巻号頁・発行日
vol.10, no.9, pp.323-328, 1959-09-20 (Released:2009-10-30)
参考文献数
19
被引用文献数
1
著者
中村 雅史 原口 忠男 内山 賢
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
表面技術 (ISSN:09151869)
巻号頁・発行日
vol.61, no.4, pp.325, 2010-04-01 (Released:2010-11-11)
参考文献数
24
被引用文献数
2 2

This paper presents an investigation of the thermoelectric performance of DLC films deposited on glass substrates using RF plasma CVD method. The respective thermoelectric performances of Si-doped DLC film and non-Si doped DLC film were evaluated and compared. The DLC films showed a Seebeck effect, and they had p-type semiconductor characteristics.The values of DLC films’ Seebeck coefficients were 1/5 - 1/100 compared to those of the conventional thermoelectric materials. At temperatures of 80-200°C, the Seebeck coefficients of Si-doped DLC and non-doped DLC were almost identical. The resistivity value of DLC films decreased exponentially with increasing temperature. Furthermore, the DLC film values were much larger than those of conventional thermoelectric materials: 105 to 1010 times larger. The thermal conductivity of DLC films was about one-half that of conventional thermoelectric materials at room temperature. The results presented above suggest that reducing DLC film resistivity through control of deposition conditions, doped element composition, and other means must be examined to raise the thermoelectric performance of DLC film.
著者
永井 由太郎
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
金属表面技術 (ISSN:00260614)
巻号頁・発行日
vol.11, no.10, pp.478-480, 1960-10-20 (Released:2009-10-30)
参考文献数
6
著者
中野 修
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
表面技術 (ISSN:09151869)
巻号頁・発行日
vol.57, no.11, pp.764, 2006 (Released:2007-06-05)
被引用文献数
2
著者
後藤 伸也
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
表面技術 (ISSN:09151869)
巻号頁・発行日
vol.56, no.8, pp.447, 2005 (Released:2006-03-29)
参考文献数
6
被引用文献数
2
著者
畠山 友行
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
表面技術 (ISSN:09151869)
巻号頁・発行日
vol.66, no.6, pp.232-235, 2015-06-01 (Released:2016-06-01)
参考文献数
14
著者
宮本 眞吾
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
表面技術 (ISSN:09151869)
巻号頁・発行日
vol.61, no.9, pp.641-641, 2010-09-01 (Released:2011-03-25)
参考文献数
19
著者
竹ノ内 敏一 片桐 広子 岩野 恵子 中村 敦子
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
表面技術 (ISSN:09151869)
巻号頁・発行日
vol.61, no.9, pp.658, 2010-09-01 (Released:2011-03-25)
参考文献数
13
被引用文献数
2 1

The authors, using sodium hypochlorite solution, hydrochloric acid, and sodium chloride, prepared acidic synthesized water having the same characteristics and composition as an anodically electrolyzed sodium chloride solution (acidic electrolyzed water). The following findings were obtained by investigating the characteristics of each solution and the dissolution behavior of copper. 1) The dissolved oxygen concentration and free chlorine concentration decrease immediately after electrolysis in acidic electrolyzed water. Their rates of decline are higher than in acidic synthesized water. 2) The dissolution rate and surface morphology of copper immersed in the respective solutions are almost identical. 3) Free chlorine in these solutions accelerates the dissolution rate. The dissolved chlorine increases the surface roughness of copper. 4) Oxygen nanobubbles probably exist much in acidic electrolyzed water. 5) Dissolution behavior of copper immersed in acidic electrolyzed water differs between during electrolysis and after electrolysis. Dissolution rate of copper is larger, and surface was not roughened in acidic electrolyzed water during electrolysis. These phenomena are presumably attributable to the actions of hydroxyl radicals generated during electrolysis.
著者
佐治 孝
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
金属表面技術 (ISSN:00260614)
巻号頁・発行日
vol.28, no.1, pp.2-11, 1977-01-01 (Released:2009-10-30)
参考文献数
76
被引用文献数
1 2
著者
山下 かおり 石川 幹雄 手塚 正人 伊藤 信行
出版者
一般社団法人 表面技術協会
雑誌
表面技術 (ISSN:09151869)
巻号頁・発行日
vol.68, no.3, pp.143-146, 2017-03-01 (Released:2018-03-01)
参考文献数
22
被引用文献数
3