著者

伊藤 孝矩 山﨑 重人 光原 昌寿 中島 英治 西田 稔 米村 光治

出版者

一般社団法人 日本鉄鋼協会

雑誌

鉄と鋼 (ISSN:00211575)

巻号頁・発行日

pp.TETSU-2016-107, (Released:2017-03-06)

参考文献数

37

被引用文献数

4

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Creep properties and microstructures for a polycrystalline Ni-based heat-resistant alloy whose grain boundaries were covered by dense intergranular intermetallics were investigated. Creep tests were carries out at 850°C and 80-130 MPa. The creep strength of this alloy was higher than the Alloy617 and HR6W, and equal to the Alloy740, which are pre-existing candidate materials for steam pipes of A-USC power plant. The retardation of acceleration of creep rate was observed characteristically in the creep curves. This retardation behavior was deeply related to the superior creep strength of this alloy. The spherical Ni3Al (γ’) particles were distributed uniformly in the grain interior, whose coarsening behavior was monotonically dependent on the creep time. The intermetallics of Laves phase and σ pahse were formed densely at grain boundary. High coverage ratio of the intergranular intermetallics was maintained until the later stage of acceleration creep region. Therefore, it suggested that the retardation of creep acceleration was not caused by the precipitates behavior of intragranular γ’ particles and intergranular intermetallics, though both the precipitates were understandably effective against the creep strengthening. The plate-like Laves phase was formed in the grain interior during creep. The evolution of volume fraction of intragranular Laves phase depended on not creep time but creep strain. From the results of SEM/EBSD analyses and TEM observations, it revealed that the intragranular Laves phase enhanced the work-hardenability due to the constraint on plasticity and originated the retardation of creep acceleration.

著者

J. D. ジャクソン著 西田稔訳

出版者

吉岡書店

巻号頁・発行日

2002

著者

坂本 昇 堅田 敏幸 松崎 光夫 西田 稔 日當瀬 良夫

雑誌

全国大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.39, pp.1716-1717, 1989-10-16

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近年、端末装置は、小形化が著しく進み、装置に搭載するプリント基板においても高密度実装を実現するために、表面実装型部品(以下、面付部品という)を搭載したものが採用されている。従来、インサーキットテスタによる基板テスト方法は、ピン挿入型部品(以下、挿入部品という)が多用されており、部品ピン間隔も100milピッチ固定となっていだため、直接部品ピンにテスタの剣山ピンを設定できた。しかし、面付部品が搭載された基板(図1)においては、面付部品のピン間隔が100mil以下(25,40, 50,75mil等)であり、かつ部品ピンが半田面に貫通していないこと、さらには基板の格子上に乗らない挿入部品(オフグリッド)等が多用されており、従来手法の適用が困難となった。本報告では、面付部品が搭載されたプリント基板のインサーキットテスト手法の一例について報告する。

著者

西田 稔

出版者

熊本大学

雑誌

基盤研究(C)

巻号頁・発行日

2000

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高温形状記憶合金として期待されているTiPdNi合金のPd, Ni過剰組成において、研究代表者が見出した新しい析出相を利用した本合金の組織制御と高機能化に関する基礎研究を実施した.析出相の組成はTi_9(Pd,Ni)_<11>と表すことができ、三方晶構造を持つ.B2母相との方位関係は{110}_<B2>//{100}_<Ti9(Pd,Ni)11>,<111>_<B2>//<001>_<Ti9(Pd,Ni)11>である.研究の進行にともない、当初、析出相と考えていたこの相はB2母相の<111>方向に4倍周期の構造をもつ規則相であることが判明した.この根拠として、上記の方位関係より4つのバリアントが存在しそれらは不規則な形状の逆位相界面(APDB)によって分割されており、規則化温度(Tc)以下の焼き鈍しにより単一バリアントのみが優先的に成長することが知られた.さらに規則相の成長にともないマルテンサト変態が抑制され、Ms温度が室温から液体窒素温度まで低下した.この現象はTi系形状記憶合金においては初めて見出されたものであり、これまで貴金属合金系のみで議論されていた母相の規則化とマルテンサイト変態の関係に、今後、新たな知見を与えるものと期待できる.拘束時効により規則相を分散させた合金では二方向形状記憶効果が200〜400℃の間で発現することが確認できた.次に二方向特性に及ぼす熱処理の影響を種々検討したが、目的として設定したTi_3Ni_4相を分散させたNi過剰TiNi合金ほど顕著な形状変化を発現させるには至らなかった.今後の課題として、規則相の正確な結晶構造の同定およびマルテンサイト変態(母相の安定化)に及ぼす規則相の影響を明らかにする必要がある.

著者

森 大吉郎 橋元 保雄 中田 篤 上杉 国憲 西田 稔夫 福沢 清

出版者

宇宙航空研究開発機構

雑誌

宇宙科学研究所報告 (ISSN:02852853)

巻号頁・発行日

vol.17, pp.1-69, 1984-02

被引用文献数

1

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Mu rocket assembly and launch system was renewed on the same place where the former one had stood on. After breaking down of the former one, the foundation work started on April 1981,and all of the construction finished on August 1982. This system consists of a rocket assembly tower and a launcher. The assembly tower is a steel-framed truss structure building which has 11 floors and contains cranes, big doors, and movable floors necessary to bring in, assemble, and check out the Mu rocket. This tower is 43m high, 18m wide, 13m deep, and 700 ton in weight. The launcher is 300 ton in weight and made up of a boom structure and guide rails on which a rocket slides away. This launcher can revolve by bogies on a circular rail from the assembly tower toward the launching point. A flame deflector cooled by water is automatically installed to the launcher during its revolution. On February 20 1983,M-3S-3 rocket was successfully launced as the first satellite launch using this system.