著者

折井 靖光 宮本 勇 丸尾 大 樫浦 英秋 大越 昌幸 村原 正隆 御代川 孝彦 豊田 浩一 大迫 寛樹 佐藤 博保 篠原 久典 小林 誠 堀木 保宏 土井 章裕 小海 文夫 島本 幸次郎 古賀 義紀 福田 健三 新納 弘之 井村 達哉 大花 継頼 大内 秋比古 永井 千秋 矢部 明 井本 吉信 中山 斌義 久保 宇市 西井 正信 杉本 俊一 清水 雄一 鈴木 伸武 河西 俊一 長瀬 智洋 遠藤 正雄 江口 洋介 津 田裕 佐藤 宏一 山根 啓嗣 森下 正浩 松本 明 千賀 洋之 仲前 一男 大同 雅人 甲藤 正人 黒澤 宏 奥田 昌宏 佐々木 亘 野澤 繁典 五十嵐 龍志 星野 聡 常見 明良 杉岡 幸次 緑川 克美 田代 英夫 北村 一典 市川 義博 菅野 晃 窪田 貴晴 水原 貴之 小林 正樹 辻原 清人 英 貢 古野志 健男 井口 哲 松吉 達郎 大家 利彦 山口 滋 森 実紀夫 関根 和雄 剣持 庸一 辻本 博 土居 功年 藤林 肇次 吉田 典生 中溝 佳幸 松原 真人 竹中 裕司 西前 順一 葛本 昌樹 趙 同栄 空閑 良寿 大山 俊之 武内 一夫 永田 伍雄 川崎 暢之 飯村 康紘 石井 忠浩 Zhao T. R.

出版者

The Laser Society of Japan

雑誌

レーザー研究 (ISSN:03870200)

巻号頁・発行日

vol.21, pp.129-134,143, 1993

著者

豊田 浩一

出版者

一般社団法人 レーザー学会

雑誌

レーザー研究 (ISSN:03870200)

巻号頁・発行日

vol.2, no.1, pp.40-41, 1974-06-29 (Released:2010-02-26)

著者

杉岡 幸次 十文字 正之 高井 裕司 田代 英夫 豊田 浩一

出版者

一般社団法人 電気学会

雑誌

電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) (ISSN:03854205)

巻号頁・発行日

vol.115, no.9, pp.903-911, 1995-08-20 (Released:2008-07-15)

参考文献数

21

被引用文献数

1

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Simultaneous incorporation and deposition of Si by KrF excimer laser beam irradiation in a silane (SiH4) gas ambient realize to form functionally gradient structure in stainless-steel 304. The process is referred to as the laser implant-deposition (LID). The basic model to achieve such a gradient structure is investigated by analyzing Si depth profiles and total quantities of supplied Si atoms (Si dose) for various experimental conditions. The theories of this model involve both of the photodecomposition of SiH4 gas by KrF excimer laser photons and liquid-phase difusion of the dissociated Si atoms into the stainless-steel. The Si dose is empirically estimated by taking account of the photodecomposition and the mass transport theory. The Si depth profiles are calculated by the liquid-phase diffusion model using the estimated Si dose, showing good agreement with the experimental results. In addition, the hardness, the corrosin property, and the thermal stability of the gradient structure are discussed.

著者

十文字 正之 小幡 孝太郎 小林 卯尚 杉岡 幸次 高井 裕司 緑川 克美 豊田 浩一

雑誌

レーザー学会研究会報告 = Reports on the Topical meeting of the Laser Society of Japan

巻号頁・発行日

vol.244, pp.1-5, 1997-09-24

著者

小幡 孝太郎 杉岡 幸次 甲野 竜哉 高井 裕司 豊田 浩一 緑川 克美

出版者

一般社団法人 電気学会

雑誌

電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society (ISSN:03854221)

巻号頁・発行日

vol.123, no.2, pp.241-245, 2003-02-01

参考文献数

13

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Dynamics of ablation of fused silica by multiwavelength excitation process using F₂ and KrF excimer laser has been investigated by energy analyzed mass spectrometry of ablated species. The number of generated Si⁺ ion by multiwavelength excitation process corresponds to that by single-F₂ laser ablation and to approximately 2.1 times higher than that by single-KrF excimer laser ablation. In addition, kinetic energy distribution of Si⁺ ablated by multiwavelength excitation process shows almost same as that by single-F₂ laser ablation. We regard that absorption of KrF excimer laser by excited state generated by F₂ laser (excited-state absorption: ESA) causes effective photoionization, resulting in enhancement of Si⁺ with higher kinetic energy and then in high-quality ablation.