著者

奥野 英一 石田 明 沢木 宣彦 赤崎 勇

出版者

一般社団法人 日本物理学会

雑誌

秋の分科会予稿集

巻号頁・発行日

vol.1990, 1990

著者

赤崎 勇

出版者

一般社団法人 電気学会

雑誌

電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) (ISSN:03854205)

巻号頁・発行日

vol.124, no.2, pp.107-113, 2004 (Released:2004-05-01)

参考文献数

37

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Breakthroughs in crystal growth and conductivity control of nitride semiconductors during last two decades have led to such developments as high-brightness blue, green and white light-emitting diodes and long-lived violet laser diode and so forth. The high electron saturation velocity in GaN is also suitable for application in high-speed/high power electronic devices. All of these nitride-based devices are the most environmentally-friendly ones available. They are tough and should enable a tremendous saving in energy. Further progress in the area of crystal growth and device engineering is necessary for the development of new frontier devices based on nitride semiconductors.

著者

中洞 正 赤崎 勇次

出版者

養賢堂

雑誌

畜産の研究 (ISSN:00093874)

巻号頁・発行日

vol.67, no.12, pp.1205-1209, 2013-12

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第一義に,日本において乳類を販売するにあたり一定の菌数を超える大腸菌及び一般細菌が検出された製品は販売してはならない規定がある。この規定をクリアするためには製造現場に,製品中の大腸菌及び一般細菌の陰・陽性を知り得る技術が必要となる。生産された乳製品は例外なくこの検査の対象となり,細菌検査を通過した物のみが出荷販売が可能となる。これは昭和26年12月27日に施行された「乳等省令(乳及び乳製品の成分規格等に関する省令)」による取り決めである。菌検査は菌数をコロニー(斑点)の数により判定し,陰・陽性が判断される。乳製品の場合,大腸菌は1コロニー以上,一般細菌は5万以上で陽性の判定となり陰性以外は再検査をかけ再判定する。再検査の段階で陽性結果が出た場合において,販売不可の製品となる。これを怠った場合,または何らかの事象により一定の菌数を超えた製品が市場に流れた場合,販売責任者は回収の義務が課せられる。場合によっては,営業停止という重い罰を与えられることもある。このことから,検査は製造の末端工程ではあるが販売においては第一に重要な必須事項であることは言うまでもない。また乳自体の検査(比重・糖度・酸度・クリームライン・アルコール凝集など)も行うため,適正な検査を行えるか否かによって製品の安心・安全が保たれるのと同時に,品質保持の役割を担っているのが製品検査といえよう。検査においては製造現場に検査専用の部屋があること,必要機材があることが求められる。検査員は特に資格(公的には食品衛生資格者というものもある)は必要としない。各細菌の検査方法に則って行い,製品が生産されるごとに一定量のサンプルを採取して調べる。

著者

赤崎 勇 原 徹

出版者

一般社団法人 電気学会

雑誌

電氣學會雜誌 (ISSN:00202878)

巻号頁・発行日

vol.90, no.2, pp.231-236, 1970-02-20 (Released:2008-04-17)

参考文献数

31

著者

天野 浩 赤崎 勇

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.60, no.2, pp.163-166, 1991-02-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

14

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GaNの伝導性制御に関する検討を行った. n型はSiドーピングにより低抵抗化を図った. p型はMgドーピングにより高抵抗化させ,さらにそのMgドープGaNに電子線照射処理を施すことにより初めて実現させた.また処理条件を調節することにより伝導性制御が可能であることを確認した. GaNによるpn接合型LEDを初めて試作し, n層内でのバンド間遷移に基づく紫外発光,およびp層内でのMgの関与した青色発光準位に基づく青色発光を利用できることがわかった.

著者

赤崎 勇 橋本 雅文 天野 浩 平松 和政 澤木 宣彦

出版者

名古屋大学

雑誌

試験研究

巻号頁・発行日

1987

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1.前年度に引続き、GaNの高品質MOVPE結晶成長条件下でZnを添加することによりMIS構造に必要な抵抗率の高いi層を実現し、MOVPE法による高性能MIS型青色LED(発光効率0.3%)を実現した。2.カソ-ドルミネッセンス(CL)法によりZn添加GaNの発光微細特性及び発光スペクトルを評価した結果、「GaH表面微細構造」と「発光波長及び発光強度」の間に密接な関係があることを見出し、面内で均一な青色発光を得るための成長条件を明らかにした。3.MOVPE法によりMg添加GaNの結晶成長を行い、以下の結果を得た。(1)Mg濃度はMg原料流量に対し線形的に制御できる。(2)Zn添加の場合と異なりMgの添加効率は基板温度によらず一定である。(3)Mg濃度を制御することにより室温のPL測定において青色発光(440〜460nm)を得た。(4)電子線照射処理を施すことにより、青色発光強度が1桁以上も増加すること、かつp形GaN(正孔濃度〜10^<16>cm^<-3>)が得られることを見出した。(5)pn接合形LEDを試作し、その発光スペクトルを測定したところ、青紫色及び紫外発光が観測された。以上の結果、Mg添加はGaN系短波波長発光素子の作製に極めて有効な方法であることが明らかになった。4.GaN上にGaAlNを成長させヘテロ接合の作製を行った結果、GaAlN層にクラックが発生することが分かった。このクラック発生はGaAlN層の組成及び膜厚を制御することにより抑制できることが明らかになった。またこのクラック抑制技術に基づきGaNとGaAlNの多層構造を作製した結果、表面平坦性の優れた多層膜が得られた。