著者

アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ 白鳥 悠太 葛西 誠也

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.107, no.473, pp.33-38, 2008-01-23

被引用文献数

2

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ナノワイヤ3分岐接合は,室温において非線形な電気的特性を示し,ナノワイヤを適用した論理集積回路の構成要素として有用である.本研究ではGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価を通し,非線形特性のメカニズムについて検討する.また,デバイス特性をショットキーラップゲート(WPG)により制御することを試みる.さらに,3分岐接合の論理回路応用として,NAND回路の試作評価を行った結果について述べる.

著者

楠 繁雄 山本 勝也 初谷 匡長 田上 研之 冨永 尚人 大沢 完至 田辺 顕 桜井 賢 飯田 哲也 飯田 哲也

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.102, no.556, pp.65-72, 2003-01-09

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本報告は、新しい方式によるPre-distortionを用いた歪補償技術と、その技術を一体化したN-CDMA端末に適応し得るPAモジュールの開発に関するものである。入力包絡線でLook-up-table(LUT)をアクセスする方法を用いることにより、Base-Bandブロックから独立して歪補償を行い得る。適応補償に際しては、AM/PMの適応補償を省略し、入出力包絡線差によりLUTを修正する方式を開発した。これにより、回路規模を大幅に簡単化するとともに、主たる回路をCMOS ICに集積し、モジュールとして一体化することにより、携帯端末に適した歪補償PAモジュールを実現した。試作したPAモジュールは900MHz帯N-CDMA端末用であり、Pout=27.5dBmで効率=48%と言う極めて高い効率を実現し得た。

著者

平山 浩一 林 義男 小柴 正則

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.100, no.305, pp.41-48, 2000-09-14

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著者らはこれまで, 有限要素法を用いてマイクロ波の計算機シミュレーションに関する種々の解析法(ソルバー)を提案し, 実際に数値計算を行ってその有効性を示してきているが, ここでは, これまでに開発したソルバーに対して市販のツールをプリ・ポストプロセッサとして利用することで, シミュレータを構築することを試みる.具体的にはプラットホームはWindows98とし, プリプロセッサはGiD, ポストプロセッサはMATLAB, これらに自作のソルバーを加えた全体を統合する環境として, Word97を利用する.このシミュレータを用いて, 2次元問題としては導波管H面不連続の伝達特性解析, 遮へい型プレーナ線路の固有モード解析, 3次元問題としては空洞共振器の固有モード解析を行っている.

著者

西口 克彦 小野 行徳 藤原 聡 猪川 洋 高橋 庸夫

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.105, no.549, pp.23-28, 2006-01-19

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MOSFET技術で作製した室温で動作する単一電子転送素子と高感度電荷検出素子の複合デバイスについて報告する.転送素子は直列に接続された2つの細線FETで構成され、各FETを交互に開閉することで単一電子が電子蓄積部へと転送される。ハーフピッチ50nmの作製技術とバイアス条件の最適化により室温での単一電子転送が可能となった.また、微小チャネルを有する電荷検出用FETを電子蓄積部に近接して配置することで単一電子検出が可能となり、室温で0.005e/〓Hz@2Hzという高感度を得ることに成功した。高速な電子転送と長い電子保持を生かした応用例も示す.

著者

藤井 研一 佐野 泰弘 大山 忠司 音 賢一 鷹岡 貞夫 邑瀬 和生 蒲生 健次

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.100, no.642, pp.69-75, 2001-02-22

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縦型結合ドット配列の遠赤外磁気光吸収測定において, 縦方向に結合した2つのドット中の電子の2本の共鳴吸収信号を観測した。この共鳴ピークのうち, 表面近傍に位置するドットからの共鳴ピークは光励起下ではシフトすることを観測し, このシフトがドット間の結合変化からの影響も含むことを示すことが出来た。光励起下でこのピークシフトの測定より, 縦型結合ドット中の電子状態への結合変化の影響を詳細に調べ, 議論する。

著者

河合 秀泰 藤井 俊治郎 石田 憲弘 町田 博宣 尾浦 憲治郎 本多 信一 片山 光浩

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.106, no.200, pp.1-4, 2006-07-27

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スクリーン印刷法で作製したカーボンナノチューブ(CNT)エミッターのエージング効果について調べた.DC電界下,20mA/cm^2の定電流で3時間,フィールドエミッションを持続させた結果,相対的に長いCNTが短くなり,新たに起毛したCNTが観察された.蛍光板による発光実験では,エージング後,局所的な電界集中がおこる箇所が減少し,エミッションの均一性が著しく改善した.これは,エージングによりCNTの長さが均一に揃い,エミッションサイトが増加したことに起因すると考えられる.さらに,電流密度の経時変化の測定から,エージングを施したエミッターでは,電流密度がより安定しており,寿命特性が向上していることがわかった.

著者

菅原 弘人 丸田 章博 児玉 裕治

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

巻号頁・発行日

vol.98, no.413, pp.1-6, 1998-11-19

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波長分割多重光ソリトン伝送では、異なるチャネル間のパルスの衝突時に相互位相変調効果による周波数シフトが生じ、ファイバの分散性を介してパルスの到着時間にジッタをもたらす。この周波数シフトは、ファイバの分散値を長手方向に周期的に変化させて設計する分散マネージメント技術によって低減することができる。本報告では、分散マネージメントを施した伝送路においてこの周波数シフトがもたらす時間ジッタを統計的に解析し、ジッタの2乗平均やビット誤り率などを評価する。さらに分散マネージメント技術によってこの時間ジッタが低減されることを示す。

著者

野口 隆

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.103, no.159, pp.9-12, 2003-06-23

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Si MOSおよびSOIトランジスタ応用に対しての紫外光レーザーアニールによる接合形成技術に関して述べる。Si LSI中のサブ0.1μm MOSトランジスタでは、十分なオン電流を確保し短チャネル効果を抑えるために、低抵抗の超浅接合が要求される。Siに対して高い吸収をもつ均一なビームによるエキシマレーザーアニールは、TFTを用いるAM-FPDにおいてと同様に、Siマイクロエレクトロニクスにおいても浅い接合ドーピングプロセスとして期待される。また、活性化したSi表面を非接触で評価できる有効な方法を提案し述べる。

著者

原 明人 吉野 健一 竹内 文代 佐々木 伸夫

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.101, no.15, pp.21-27, 2001-04-13

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エネルギー安定性の非常に高い半導体励起固体(DPSS)CWレーザ(Nd:YVO_4, 532nm, 10W)を利用してガラスに熱損傷を与えることなくTFTのチャネル領域を単結晶化する新しい結晶成長方法について報告する。本方法の特徴は、(1)チャネル領域を熱浴として作用する厚いシリコン膜で覆う(2)ネッキング構造をチャネル領域に付加する(3)チャネル領域に沿って、ネッキング領域側から結晶化させる(4)裏面からレーザ照射することである。本方法を利用してチャネル領域全域にわたって単結晶化することに成功した。単結晶化領域は幅2μm、長さ20μmである。450℃のプロセスを利用してガラス上にTFTを作成した結果、最高移動度410cm^2/Vs(平均移動度310cm^2/Vs), S-value 0.20V/dec、Vth=0.2Vが得られた。