文献一覧: 小林春夫 (著者)

4 0 0 0 IR 原典研究イブン・スィーナー著『治癒』形而上学訳註(第一巻第五章)

著者: スィーナーイブン小林春夫加藤瑞絵矢口直英
出版者: 早稲田大学イスラーム地域研究機構
雑誌: イスラーム地域研究ジャーナル (ISSN:1883597X)
巻号頁・発行日: vol.8, pp.107-117, 2016

2017-04-11 18:45:34
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https://ci.nii.ac.jp/naid/120005759211

4 0 0 0 OA イブン・スィーナー著『治癒』形而上学訳註 (第一巻第三章)

著者: 小林春夫仁子寿晴加藤瑞絵倉澤理
出版者: 早稲田大学イスラーム地域研究機構
雑誌: イスラーム地域研究ジャーナル (ISSN:1883597X)
巻号頁・発行日: vol.5, pp.103-136, 2013-03-31

http://hdl.handle.net/2065/39216

3 0 0 0 OA アラブ・イスラーム世界におけるマルクス主義の展開―運動・哲学・歴史像をめぐって

著者: 栗田禎子長澤榮治水島多喜男阿久津正幸小林春夫鈴木規夫阿久津正幸清水学千代崎未央平野淳一湯川武
出版者: 千葉大学
雑誌: 基盤研究(B)
巻号頁・発行日: 2013-04-01

従来、現代中東の社会運動をめぐる研究では、専らいわゆる「イスラーム主義」運動のみが脚光を浴びる傾向があったが、本研究では中東におけるマルクス主義の問題に着目し、その展開過程の特質を、運動、思想、歴史的・社会的背景という角度から分析した。研究の結果、中東のマルクス主義はこの地域の置かれた社会的・経済的現実と対峙し、地域に根ざした「知」の伝統(アラブ・イスラーム哲学の蓄積等)とも対話・格闘しながら発展してきたものであり、欧米からの単なる「移植」の産物ではないことが明らかになった。また、中東の社会・政治のあり方に関する従来の固定的・静態的イメージの見直しを行なうことができた。

2020-10-26 15:25:55
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https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25284131/

3 0 0 0 OA イブン・スィーナー著『治癒』文献解題

著者: 小林春夫
出版者: 早稲田大学イスラーム地域研究機構
雑誌: イスラーム地域研究ジャーナル (ISSN:1883597X)
巻号頁・発行日: vol.2, pp.57-63, 2010-03-31

2020-05-23 23:11:36
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http://hdl.handle.net/2065/32465

3 0 0 0 OA イブン・スィーナー著『治癒』形而上学訳註(第一巻第一章および第二章)

著者: 小林春夫仁子寿晴加藤瑞絵倉澤理
出版者: 早稲田大学イスラーム地域研究機構
雑誌: イスラーム地域研究ジャーナル (ISSN:1883597X)
巻号頁・発行日: vol.3, pp.73-117, 2011-03-31

http://hdl.handle.net/2065/33552

1 0 0 0 OA イブン・スィーナー『治癒の書』に関する比較思想史的研究

著者: 小林春夫堀江聡高橋英海仁子寿晴
出版者: 東京学芸大学
雑誌: 基盤研究(C)
巻号頁・発行日: 2007

イスラームを代表する哲学者イブン・スィーナー(Ibn Sina=Avicenna,1037年没)の思想の全体的解明に向けて、第一に、彼の主著である『治癒の書』(al-Shifa')形而上学部分を様々な刊本・写本に基づいて精読し、邦訳と注釈を作成した。第2に、ギリシア哲学、シリア語圏の思想、中国思想の専門家とともに同書の成立過程を明らかにするとともに、その思想の後世への影響について多面的に解明した。

2021-02-19 10:25:08
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https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19520074/

1 0 0 0 BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法

著者: 名野隆夫菊地修一岩津勝彦西部栄次鈴木琢也佐々木義智伊藤和男小林春夫
出版者: 一般社団法人電子情報通信学会
雑誌: 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
巻号頁・発行日: vol.98, no.352, pp.79-86, 1998-10-23
参考文献数: 11

本論文はBSIM3v3SPICEモデルによる、高耐圧MOSデバイスのモデル技術について報告する。標準のSPICEモデルは高耐圧MOSデバイスの電圧依存を持つR_d、R_sに対して高精度なモデルを提供しておらず、電圧-電流特性のシミュレーションと実測値との間に大きな差異を生じる。我々はオリジナルBSIM3v3のパラメータの一部に対して本来とは異なる物理的な意味合いを設定しR_d、R_sの電圧依存を表現する技法を考案した。本技法により得たパラメータによる、高耐圧MOSデバイスの電圧-電流特性のシミュレーションと実測値とは非常に良く一致する。提案モデル技法と高耐圧MOSデバイスの動作原理との関係についても検討を行った。

2020-04-22 14:31:54
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https://ci.nii.ac.jp/naid/110003317205

1 0 0 0 NEアカデミーアナログ強化塾(第5回)完全デジタルPLL回路,「ADPLL」を学ぶ

著者: 小林春夫壇徹田邊朋之
出版者: 日経BP社
雑誌: 日経エレクトロニクス (ISSN:03851680)
巻号頁・発行日: no.1005, pp.100-107, 2009-06-01

無線通信回路の周波数シンセサイザや,マイクロプロセサの高速クロック生成回路において,必須の回路がPLLである。通常はアナログ回路で実現する。このPLLを,すべてデジタル回路で構成するという設計コンセプトが「ADPLL」だ。実際にADPLLを利用した回路の研究開発を進めている群馬大学の小林氏らが,ADPLLの意義や,構成について解説する。