著者
堀江 勇太 比田井 洋史 松坂 壮太 千葉 明 森田 昇
出版者
公益社団法人 精密工学会
雑誌
精密工学会学術講演会講演論文集 2015年度精密工学会秋季大会
巻号頁・発行日
pp.535-536, 2015-08-20 (Released:2016-02-20)

旋削加工において,負のアプローチ角を採用すると,切込み量の増加につれて背分力が小さくなる.これを利用して背分力を抑制し,高精度な微細軸を加工する方法が提案されている.本研究では,背分力抑制による形状精度の向上の可能性を検討した.汎用旋盤を用いて,送り量等を変更して旋削を行い,切削抵抗を測定した.それにより,送り量がある範囲の場合において背分力が抑制できることを示した.
著者
生間昇一郎 本宮 善〓 常深 邦彦 平田 直也 妻谷 憲一 森田 昇 植村 天受 金子 佳照 守屋 昭 吉田 克法 貴宝院 邦彦 平尾 佳彦 岡島 英五郎
出版者
社団法人日本泌尿器科学会
雑誌
日泌尿会誌 (ISSN:00215287)
巻号頁・発行日
vol.79, no.5, pp.903-909, 1988
被引用文献数
1

electroconductivity detectorを用いた高速液体クロマトグラフィー法による新しい尿中蓚酸測定法を開発し,この測定法はディスポタイプカラムを用いることによって前処置を簡便化し,さらに発色剤と反応させることなく直接蓚酸イオンをelectroconductivity detectorで検出できる.本法での測定範囲は1〜100mg/lで,再現性はtriplicate assayで,変動係数2.0±3.9%であり,健康成人10人の24時間尿中蓚酸排泄量の平均は25.6±4.7 mg/dayであった.
著者
森田 昇 川堰 宣隆 田代 雄介 大井 慶太郎 山田 茂 高野 登 大山 達雄
出版者
社団法人 砥粒加工学会
雑誌
砥粒加工学会誌
巻号頁・発行日
vol.51, no.9, pp.547-552, 2007

本研究は,GaAs半導体の研削加工におけるクラック発生機構を明らかにすることを目的としている.単粒研削時のクラック発生過程を詳細に検討するため,傾斜ステージをもったスクラッチ加工機を試作した.これを用いてGaAs(100)のスクラッチ加工実験を行い,とくに結晶方位依存性の観点から,GaAsにおけるクラック発生機構の特異性について検討した.これより,GaAsにおけるクラックの発生は結晶方位に強く依存し,[0¯11]方向に加工したときに最も脆性破壊が生じやすく,[011]方向の場合に最も生じにくいことがわかった.また,脆性破壊部の形状は加工方向によって大きく異なる.以上の結果より,GaAsにおけるクラック発生機構は結晶方位によって変化し,その傾向はSiのそれとは異なることがわかった.