著者

廣瀬 哲也 Schmid Alexandre 浅井 哲也 Leblebici Yusuf 雨宮 好仁

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.105, no.419, pp.53-58, 2005-11-12

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減衰シナプスを用いることで、ノイズ環境下でも高い精度で同期する神経ネットワークモデルが提案されている[4]。本稿では、これまで著者らが開発を行っていたシリコンニューロン回路[5]とアナログ減衰シナプス[6]を用いてリカレントネットワークを構成し、ニューロン回路間の同期精度について数値的に調べた。減衰シナプス回路を用いた場合、通常のシナプス回路を用いた場合と比べて、同期精度が大幅に向上することが分かった。また、外界のノイズに対してロバストな高精度同期ネットワークを構成するために、シンプルなアナログSTDP回路を新たに開発した。シミュレーションにより、提案回路が正しく動作することを確認した。

著者

梶野 敦 雨宮 好仁

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路

巻号頁・発行日

vol.93, no.231, pp.17-22, 1993-09-17

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LSIコンピュータの限界を打破するものと光コンピューティングが期待されるている。しかしその速度性能についてはこれまで正確な予測がされなかった。ここでは積和演算処理を例にとってアナログ光演算器とアナログLSI演算器の速度性能を比較する。第一段階として雑音による本質的な速度性能の限界を解析した。アナログ光演算器とアナログLSI演算器の雑音はそれぞれショット雑音と熱雑音であり、この雑音による積和演算器本体のみの速度性能限界を比較した。その結果、両演算器本体の本質的な速度性能自体には大差はないという結果を得た。

著者

李 学秀 呉 南健 雨宮 好仁

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.97, no.273, pp.45-50, 1997-09-26

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電子スピンの交換相互作用を利用した量子ボルツマンマシンニユーロンデバイスを提案する. このデバイスは結合量子ドットの2次元アレイからなる多入力しきい素子である. 各量子ドットを占める電子のスピン状態("up"と"down")でバイナリ信号("1"と"0")を表す. 入力総和の大きさに応じて確率的に"1"と"0"を出力する. 計算機シミュレーションで本デバイスの動作特性を解析し, ボルツマンマシン用ニューロンデバイスとして動作し得ることを示す.

著者

石原 宏 米津 宏雄 鳳 紘一郎 雨宮 好仁 柴田 直 岩田 穆 岡部 洋一 山川 烈

出版者

東京工業大学

雑誌

重点領域研究

巻号頁・発行日

1995

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本研究班では、2次元の空間情報に時間軸をも含めた多次元情報を、バイナリ、多値、アナログ融合アーキテクチャを用いて高速に処理するハードウェアを実現することを目的とした。特に、過去の情報に基づいて刺戟に対する対応を変化させる適応学習機能や、必要に応じて自己を再構成する自己組織化機能などの生体機能をハードウェア的にシステムに作りつけ、大枠の判断、連想のような高度の知的作業を瞬時に行う新しい知能システムを構築するための基礎を築くことに重点をおいた。強誘電体ゲートFETを用いて適応学習機能を持つパルス周波数変調型ニューロチップを作製する研究では、強誘電体としてSrBi_2T_2O_9を用いたFETとCMOS構成のシュミットトリガー回路とをSOI(絶縁物上のSi膜)基板上に集積化し、良好な学習動作を確認した。カオス信号を生成する集積回路に関しては、npnトランジスタとキャパシタとを用いる外部クロック型と、CMOSマルチバイブレーターを用いる自励発振型の両者について検討を行い、それぞれについて反復一次元写像が行われ、カオスが発生することを明らかにした。パルス幅変調型AD融合回路技術に関しては、機能イメージセンサ、セルオートマトン、パターンマッチングプロセッサを1チップに集積化し、特徴連想イメージプロセッサを開発した。CMOSデジタル技術並びにニューロンMOS(νMOS)技術を用いた検討では、過去の膨大な経験を特徴ベクトルとして記憶するVast Memoryを実現するために、高精度アナログ不揮発性メモリ技術を開発すると共に、沢山の事例の中から最類似記憶を瞬時に検索・想起するための連想エンジンチップを開発した。外網膜の機能を有する集積回路の作製に関しては、エッジ検出などの機能を持たせるために受光セルを相互に結線する場合に、最近接セル以外のセルとも結線しようとすると、配線が極めて複雑になるという問題を解決するために、受光セル以外の部分は全てMOSトランジスタのチャネル領域になっている新しい構造の光検出チップを開発した。