著者
板谷 太郎
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.66, no.9, pp.986-987, 1997-09-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
19
著者
阪井 清美 谷 正彦
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.70, no.2, pp.149-155, 2001-02-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
54
被引用文献数
7

光波と電波の境界にある技術的に立ち遅れたテラヘルツ帯(100GHz~10THz)を開拓するために,最新のレーザー技術や半導体および高温超伝導体の新技術を使って,新しい電磁波技術を発展させた.すなわち(a)フェムト秒光パルスが超高速の光スイッチ,半導体表面,量子井戸,高温超伝導デバイス等を励起して生じる,テラヘルツ電磁波パルスの発生,(b)2本の連続波(CW)レーザービームの光混合による,周波数可変のテラヘルツ電磁波の発生について述べるとともに,応用例も示した.
著者
桜井 武麿
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.50, no.4, pp.368-378, 1981-04-10 (Released:2009-02-09)
参考文献数
19

This review presents a survey of solar furnaces and their applications. After a brief historical overview, the optics of paraboloidal concentrator, concentration ratio and attainable temperature are theoretically treated. The design and construction of large solar furnaces in the world are introduced in some detail. The application to the high-temperature physics is exemplified by the investigations carried out in the Tohoku University. The applications to the energy conversion and high-temperature industry, expected in future, are described also.
著者
北畠 真 三露 常男 和佐 清孝
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.54, no.6, pp.568-575, 1985-06-10 (Released:2009-02-09)
参考文献数
28

ABO3型の強誘電性物質のアモルファス状態について解説する.ここで用いるアモルファス誘電体とは,上記の意味で,ガラスや無機ガラスではない.アモルファス誘電体としてPbTiO3とLiNbO3を例にとり,その形成を,ロール対法とスパッタ法と比較して説明する.スパッタ法によって得られる特有のアモルファスPbTiO3, アモルファスPbTiO3の結晶化過程,アモルファスLiNbO3の示す高誘電率の原因等について述べる.
著者
廣田 榮治
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.59, no.7, pp.866-878, 1990-07-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
85

赤外レーザー分光およびマイクロ波分光を用いた,低圧気相における簡単なフリーラジカルの構造研究の現況を紹介する.まずこれら分光法の特色を概観し,フリーラジカルの密度の実時間測定への応用を論ずる.プラズマプロセシングの基礎過程に特に重要と思われるCH3, CCH, SiHn, CFn, CCln, SiFn, SiCln(n=1~3)を取り上げ,これまでに得られた成果を概説する.
著者
遠藤 賢次
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.37, no.9, pp.852-852, 1968-09-10 (Released:2009-02-09)
参考文献数
4
著者
吉田 博
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.58, no.9, pp.1309-1320, 1989-09-10 (Released:2009-02-09)
参考文献数
24

第一原理に立脚した固体電子論に基づく計算は,半導体中の不純物を含むような系についても,その構造配置や電子状態を経験的パラメーターなしで,しかも高い精度で予測することを可能にした。このような電子状態の計算を基礎にし,データベースとエキスパート・システムを絶み合わせることにょり, 21世紀のエンジニアリングとしての「物質設計システム (MDS, Materials Design System)」を提案する.最近の半導体物理学における電子状態の計算の動向を踏まえ,物質設計の新しい概念と方法を解説する.
著者
田中 繁
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.64, no.10, pp.1018-1022, 1995-10-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
11

大脳皮質視覚領には,さまざまな視覚情報に関する地図が存在する.本解説記事では特に,物体が視野内を運動するときめ方向につい之の情報表現がmiddletemporal area(MT)内にいかにして自己組織化されるのか,という問題を取り上げ理論脳科学における最近の進展の一端を紹介したい.
著者
天野 浩 赤崎 勇
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.60, no.2, pp.163-166, 1991-02-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
14

GaNの伝導性制御に関する検討を行った. n型はSiドーピングにより低抵抗化を図った. p型はMgドーピングにより高抵抗化させ,さらにそのMgドープGaNに電子線照射処理を施すことにより初めて実現させた.また処理条件を調節することにより伝導性制御が可能であることを確認した. GaNによるpn接合型LEDを初めて試作し, n層内でのバンド間遷移に基づく紫外発光,およびp層内でのMgの関与した青色発光準位に基づく青色発光を利用できることがわかった.

1 0 0 0 OA 安定化の問題

著者
高橋 秀俊
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.12, no.3, pp.137-140, 1943 (Released:2009-02-09)
参考文献数
4
著者
小野 雄三
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.61, no.6, pp.588-591, 1992-06-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
15
被引用文献数
1

ホログラフィック光学素子は一つの光学素子技術として確立し,回折型光学素子と総称されるようになってきている.リソグラフィー技術を用いたディジタルブレーズ化技術,フォトポリマーを中心とする複製用材料技術,屈折光学系の色収差補正やリソグラフィーへの新応用提案,光ディスクヘッドへの実用化など,最近のホログラフィック光学素子技術の進展を展望する.