著者
中沢 正隆
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
應用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.66, no.9, pp.922-932, 1997-09-10
参考文献数
49

高速・長距離通信の実現を目指す光ソリトン通信は低雑音・高利得・広帯域という特徴をもつエルビウム光ファイバ増幅器の出現により画期的な進展があり,今では数多くの優れた光ソリトン伝送実験が報告されている.中でも最近の大きなブレイクスルーは分散のアロケーションによるパワーマージン・分散許容量の増大などソリトンの伝送の飛躍的な高性能化にある.分散ア日ケートソリトンは光カー効果によるソリトンとしての分散補償のほかに,伝送性能を劣化させる4光波混合などのほかの非線形光学効果を取り除くことができる点で大変重要な技術である.<br> 来るべき21世紀のマルチメデイア社会には大容量の通信が不可欠であり,ここで述べるDーAソリトン通信はその中核をなす技術の一っとなると考えられる.本報告では,目覚ましい進展を遂げているソリトン通信と将来展望について述べる.
著者
中沢 正隆
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.59, no.9, pp.1175-1192, 1990
被引用文献数
4

光ファイバーのコアの部分に希土類元素Er<sup>3+</sup>イオンをドープしたエルビウム光ファイバー増幅器の出現は,今までの光通信のトップデータをほとんど塗り替え,予測ができないほど速いスピードで,光技術に大きな変革をもたらしつつある.この小型広帯域光増幅器により,光通信は第二世代に突入したといっても過言ではない.本稿ではこのErドープ光ファイバー増幅に関して,その基礎から応用まで最新の話題を踏まえて解説する.
著者
中沢 正隆
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
應用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.79, no.6, pp.508-516, 2010-06-10
参考文献数
57
被引用文献数
2

<p>レーザーによる情報通信技術の発展,特に光ファイバー通信を中心に,ここ50年の発展を三つの世代に大別して概観する.第1世代は,1985年ごろまでの光ファイバーの低損失化・半導体レーザーの高性能化の時代である.いかにシリカファイバーが低損失化され,それとともに半導体レーザーの性能が向上していったかについて述べる.第2世代は2005年ごろまでのEDFAの出現とWDM技術による大容量化・長距離化の時代である.小型EDFAの出現はグローバルな高速ネットワークを実現したが,励起光源としての高出力InGaAsP半導体レーザーが重要な役割を果たしている.第3世代は2030年の情報通信を目指した多値コヒーレント伝送あるいは単一チャネルテラビット伝送である.光のコヒーレンス性と超高速性を極限まで駆使することにより,シャノンリミットと呼ばれる情報通信の限界に向けての研究が始まっている.そこで最後に周波数安定化レーザーとそれを用いたコヒーレント伝送の研究状況を述べる.</p>
著者
橘 房夫
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.29, no.9, pp.592-600, 1960-09-10 (Released:2009-02-20)
参考文献数
15

Cold-cathode type X-ray tubes with auxiliary triggering electrode are developed which can produce X-rays of sufficiently high intensity with short duration of the order of one μ sec. To. get fine definition in the photogram, the anode of conical shape is used, and the most efficient condition of gap length between cathode and anode is investigated experimentally. By means of this X-ray apparatus combined with some suitable electronic delay circuit (3μ sec_??_10m sec) for triggering, X-ray shadowgrams corresponding to various stages of electrical explosion of fine metallic wires (fuse metal, copper, steel etc.) and thin aluminium foils are studied. When the electric current density through the wire is small, it is observed that, some-undulatory deformation of the wire takes place, resulting to the splitting of the wire into many fine droplets. In the early stage of explosion of copper wire coated with tin, its length is greatly increased and takes irregular zig-zag form, while its diameter remains the same as original. If the electrical energy in the wire is sufficiently high, sudden explosive vaporization occurs without any undulatory deformation or droplets formation.
著者
木下 是雄 横田 英嗣
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.34, no.11, pp.782-794, 1965

After describing briefly the principle and techniques of ellipsometry, the authors review the recent developments in ellipsometric studies of films and surfaces with comments on future possibilities. The items covered are: determination of optical constants, observation of transition layers, adsorption studies, work on oxidation and corrosion of solid surfaces, and others.
著者
五明 明子 鈴木 徹 飯島 澄男
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.58, no.9, pp.1360-1367, 1989

有機金属気相成長により成長したGa<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>P結晶のバンドギャップエネルギー (<i>E</i><sub>g</sub>) が, GaAs基板に格子整合のとれた組成 (<i>x</i>=0.5) のもとで,既報告値~1.92eVより約90meV低い値をとりうることを見いだした. Ga<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>Pの<i>E</i><sub>g</sub>は,成長時の原料のV族対III族濃度比,成長温度, ZnやMgなどのp型不純物ドーピング濃度,基板結晶方位などに依存する.このE<sub>g</sub>異常に対応して, [〓1&plusmn;11] 方向のGaとIn単層超格子の形成を見いだした,この単層超格子の形成に対する基板方位の及ぼす影響を調べ,超格子の形成に基板が本質的な役割を果たすことを明らかにした.その結果に基づいて,超格子形成メカニズムを提案した.
著者
藤原 美幸
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.44, no.4, pp.367-372, 1975-04-10 (Released:2009-02-09)
参考文献数
18
著者
高橋 清
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.67, no.7, pp.831-834, 1998-07-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
7

ヘテ自接合は,半導体工ピタキシー技術の開発以後急速に発展し,ヘテ爲接合のエネルギーの不連続性を利用したいろいろな新しいデバイスが開発されている.本稿では,半導体ヘテロ接合とは何か,格子整合・不整合の場合のヘテロ接含のエネルギー帯構造の考え方,ヘテロ接合の特徴,その特徴を生かしたヘテこ1接合デバイス,舎後の展望などについて解説する.
著者
小川 誠二
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.42, no.3, pp.214-225, 1973

Recent development in the application of magnetic resonance to biological systems is briefly reviewed. The magnetic resonance methods including high resolution NMR, pulse NMR and spin label EPR are described in terms of their merits and limitations in biological application. Recent interesting studies on biological macromolecules by magnetic resonance are explained in three sections : protein, nucleic acid and biological membrane. The covered topics in the protein section are histidine titration in RNase, various approaches taken for studying lysozyme, the heme-heme interaction in ;hemoglobin, oxidation-reduction in cytochrome c and few others. Paramagnetic relaxation enhancement method applied to the studies of the active sites of enzymes is also mentioned. In the nucleic acid section only tRNA studies are briefly described. The topics mentioned in the biological membrane section are molecular motions in phospholipid bilayers.
著者
青木 昌治 菅 義夫
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.29, no.6, pp.363-370, 1960

For the purpose of obtaining superior thermoelectric materials, purification of Bi, Te and Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> has been carried out.<br> Bismuth is purified by the method of alkali-treatment and zone melting in removing Cu, Ag and Pb.<br> For the purification of tellurium, vacuum distillation is very efficient to remove Cu, Ag and Pb.<br> Measured thermoelectric power a and resistivity of purified Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> were &alpha;=235&mu;V&bull;deg<sup>-1</sup>, and p=1.16&times;10<sup>-3</sup>&Omega;&bull;cm respectively.<br> The influence of addictive impurities on Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> is examined. Tl, Li, Pb and Cd etc. are p-type and Cu, Ag, Se, Te, halogen and metal-halides etc. are n-type impurities.<br> The thermoelectric properties of PbTe, Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>, Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>-Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> and Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>-Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> solid solution are examined. The result shows that the solid solution of isomorphous compounds is suitable for the thermoelectric material.<br> By the use of (Bi-Sb)<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> <i>p</i>-type element and Bi<sub>2</sub>(Te-Se)<sub>3</sub> <i>n</i>-type element thermojunctions, the temperature drop of 71.3 deg was attained with a temperature of hot junction of 30&deg;C.
著者
勝山 俊夫 細見 和彦
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.71, no.6, pp.664-670, 2002

半導体中で励起子(電子・正孔対)と光が結合した励起子ポラリトンの素子応用について報告する.このポラリトンは,電界などに鋭敏に応答する電子(正孔)とコヒーレンスがよい光の両者の性質をあわせもつ特長があり,これらの利用によって,従来の電子素子や光素子とは違った新しい極微細光・電子融合デバイスの実現が期待される.ここでは,ポラリトンの電界による位相変調効果,ポラリトンの安定化について議論するとともに,光素子の低動作電圧化と極微細化の試みを中心に最近の進展を報告する.
著者
須田 理行 山本 浩史
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.89, no.4, pp.203-207, 2020-04-10 (Released:2020-04-10)
参考文献数
25

電子がカイラルな分子を通過すると,スピン偏極が生じるという現象(CISS)を利用して,新たなスピン偏極電流源を作製した.このデバイスで我々が用いたのは分子モータと呼ばれる可動性の分子で,光と熱によって1方向に内部回転を行う.この回転が4ステップに分割されたカイラリティ反転を伴うため,モータ分子の薄膜を内蔵したスピンバルブに対して光を照射したり熱を加えたりすることによって,電流のスピン偏極を反転させることに成功した.これは新たなタイプの再構成可能なスピン偏極デバイスであり,電子回路におけるスピン偏極源としての有機分子の可能性を示している.