1 0 0 0 GaN 基板上 GaN エピ層キャリア再結合の遅い減衰
1 0 0 0 4H-SiC非極性面の表面再結合速度の解析
1 0 0 0 OA 4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動
- 著者
- (M2)小澤 貴也 名嶋 駿 加藤 正史
- 出版者
- 応用物理学会
- 雑誌
- 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- 巻号頁・発行日
- 2017-07-21
1 0 0 0 OA 4H-SiC (11`20) a面の表面再結合速度
- 著者
- 加藤 正史 小濱 公洋 Zhang Xinchi 市村 正也 木本 恒暢
- 出版者
- 応用物理学会
- 雑誌
- 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- 巻号頁・発行日
- 2017-07-21
1 0 0 0 OA 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性
1 0 0 0 OA 顕微FCA測定によるSiCの深さ分解ライフタイム測定
- 著者
- 須藤 正喜 姚 永昭 菅原 義弘 石川 由加里 加藤 正史
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面真空学会
- 雑誌
- 表面科学学術講演会要旨集 2016年真空・表面科学合同講演会
- 巻号頁・発行日
- pp.399, 2016 (Released:2016-11-29)
SiCトレンチ型バイポーラデバイスにおいて酸化膜/(11-20)界面近傍の基底面転位の挙動を観察し、その構造を明らかにすることはトレンチ型デバイスの信頼性を向上する上で重要である。本研究では(11-20)A面のn型4H-SiCにおいて電子線誘起電流法、カソードルミネッセンス測定を行うことにより転位と積層欠陥の観察を行い、透過型電子顕微鏡による構造解析を行った。
1 0 0 0 OA 界面顕微光応答によるNi/n-SiCの界面反応の2次元評価
1 0 0 0 OA 複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価
- 著者
- 塩島 謙次 市川 尚澄 加藤 正史
- 出版者
- 応用物理学会
- 雑誌
- 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 巻号頁・発行日
- 2016-07-22
1 0 0 0 OA A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察
1 0 0 0 OA 太陽光-水素エネルギー変換効率0.58%を示す3C-SiC光電極
- 著者
- 市川 尚澄 加藤 正史 市村 正也
- 出版者
- 応用物理学会
- 雑誌
- 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 巻号頁・発行日
- 2016-07-22
1 0 0 0 OA 4H-SiC表面再結合の接触水溶液pH依存性
1 0 0 0 OA n型4H-SiC中SSF起因フォトルミネッセンスの時間分解測定
1 0 0 0 OA 4H-SiC光電極を用いたCO<sub>2</sub>還元への助触媒効果
1 0 0 0 OA 界面顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価
1 0 0 0 OA 表面n型層の形成によるp型3C-SiC光電極の性能向上
- 著者
- 市川 尚澄 加藤 正史 市村 正也
- 出版者
- 応用物理学会
- 雑誌
- 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 巻号頁・発行日
- 2016-02-08
1 0 0 0 OA 水溶液と接触した4H-SiCにおける表面再結合
- 著者
- 市川 義人 加藤 正史 市村 正也
- 出版者
- 応用物理学会
- 雑誌
- 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 巻号頁・発行日
- 2016-02-08
1 0 0 0 OA 4H-SiCにおける表面再結合速度の解析制度向上
- 著者
- 小濱 公洋 加藤 正史 市村 正也
- 出版者
- 応用物理学会
- 雑誌
- 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 巻号頁・発行日
- 2016-02-08