著者
王 俊貞 大月 翔平 高橋 智一 鈴木 昌人 青柳 誠司 大野 泰史 川尻 由美 神崎 務
出版者
公益社団法人 精密工学会
雑誌
精密工学会学術講演会講演論文集 2014年度精密工学会秋季大会
巻号頁・発行日
pp.113-114, 2014-09-01 (Released:2015-03-01)

蚊を模倣した低侵襲性のマイクロニードルを開発するため,蚊の穿刺行動および吸血動作を観察した.本研究では蚊の穿刺対象として、マイクロ流路を有する透明な人工皮膚の開発を行った.この人工皮膚はアガロースとグルコマンナンを主材料とする.
著者
王 俊貞 大月 翔平 高橋 智一 鈴木 昌人 青柳 誠司 神崎 務 大野 泰史
出版者
公益社団法人 精密工学会
雑誌
精密工学会学術講演会講演論文集 2014年度精密工学会春季大会
巻号頁・発行日
pp.611-612, 2014-03-01 (Released:2014-09-01)

蚊の穿刺動作を模倣した低侵襲性の微細針を開発するため,蚊の針の穿刺行動及び吸血行動を観察した.本研究では蚊の口針が皮膚内部へ侵入していく様子と吸血動作をより詳細に観察するため,側面方向から穿刺動作を観察可能な特殊な人工皮膚を開発した.この人工皮膚は食用寒天を主材料とし,内部に人間の血液が仕込まれている.結果,蚊の口針がこの人工皮膚へ侵入し,血液を吸引する様子を観察することに成功した.
著者
王 俊義 藍 洲 表 昌佑 サム チンシャン ベイカス トンジュール 高 菁 ラハマン アジイズル 船田 龍平 児島 史秀 原田 博司 加藤 修三
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. RCS, 無線通信システム (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.108, no.445, pp.437-442, 2009-02-25

本稿では広帯域ミリ波無線通信システムである60GHz WPAN(wireless personal area network)におけるビームフォーミングを実現するため,ビームコードブックの基礎設計と性能評価を行っている.提案コードブックは,広帯域通信システムにおいて異なる周波数の波長の違いに起因するビームの変移を軽減するために設計され,振幅を変化させず4種類のフェーズシフト(0,90,180,270度)のみで構成され,特に60GHz帯無線通信システムにおいて電力損失を最小化しながら高速,高性能のデータ通信を可能にする.また提案したコードブックはアンテナ構成と独立しているため,単一アンテナ素子,セクタアンテナ,スイッチドアンテナ,および1次元,2次元などの線形アンテナ配列に対応している.本稿では60GHz WPANのような広帯域無線通信システムに対応できるビームコードブックの設計方式を明らかにしている.
著者
谷口 香織 高尾 秀樹 新名 真也 山中 祐二 岡田 幸長 中島 梨花 王 俊杰 辰野 竜平 阪倉 良孝 高谷 智裕 荒川 修 野口 玉雄
出版者
公益社団法人 日本食品衛生学会
雑誌
食品衛生学雑誌 (ISSN:00156426)
巻号頁・発行日
vol.54, no.4, pp.277-281, 2013-08-25 (Released:2013-09-12)
参考文献数
13
被引用文献数
1

トラフグ肝臓につき,滑らかな面を表側,肝門脈との結合部を上部として10分割し,マウス毒性試験で各部位の毒力を測定したところ,生肝臓58個体中16個体と凍結肝臓13個体中9個体ですべての部位が毒性を示した.毒の主体はテトロドトキシンであった.これらにつき,個体の平均毒力に対する各部位の相対毒力を求めて二元配置分散分析を行ったところ,凍結肝臓では毒の分布に有意な偏りは見られなかったが,生肝臓では右側中央下寄りの毒性が有意に高いことが分かった.肝臓の毒性評価に際しては,本部位を用いた個別検査の実施が望ましいと判断した.
著者
舘下 八州志 王 俊利 長野 香 平野 智之 宮波 勇樹 生田 哲也 片岡 豊隆 菊池 善明 山口 晋平 安藤 崇志 田井 香織 松本 良輔 藤田 繁 山根 千種 山本 亮 神田 さおり 釘宮 克尚 木村 忠之 大地 朋和 山本 雄一 長濱 嘉彦 萩本 賢哉 若林 整 田川 幸雄 塚本 雅則 岩元 勇人 齋藤 正樹 門村 新吾 長島 直樹
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.106, no.504, pp.5-8, 2007-01-19

ダマシンゲート構造を有するMetal/High-kゲートスタックとeSiGe S/Dを用いた歪みSiチャネルを組み合わせたMOSFETの試作にはじめて成功した。ゲート電極材料には、nFET用にHfSix、pFET用にTiNを採用した。その結果、Vd=1 V, Ioff=100nA/um, Tinv=1.6nmで、nFET: 1050uA/um、pFET: 710uA/umの特性が(100)基板上で得られた。さらに(110)基板上のpFETのインテグレーションにも成功し、830uA/umの特性が得られた。これらの特性は0.03A/cm^2以下の低ゲートリークの条件下で実現した。