M. Tsukuda, S. Abe, K. Hasegawa, T. Ninomiya, I. Omura, “Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena,” Microelectronics Reliability, Vol. 88-90, pp. 482-485, 2018.
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電気学会 英文誌にパワエレEMIに関するReview Paper掲載されています。最新の抑制対策事例をまとめていますので,是非ともご覧ください
J-STAGE Articles - Review of Modeling and Suppression Techniques for Electromagnetic Interference in Power Conversion Systems https://t.co/1fC7lCn9wu