5 0 0 0 OA 電気接触現象

著者
玉井 輝雄
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
エレクトロニクス実装学会誌 (ISSN:13439677)
巻号頁・発行日
vol.3, no.3, pp.256-262, 2000-05-01 (Released:2010-03-18)
参考文献数
15
被引用文献数
1 1
著者
Flora Somidin Stuart David McDonald Xiaozhou Ye Dongdong Qu Keith Sweatman Tetsuya Akaiwa Tetsuro Nishimura Kazuhiro Nogita
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging (ISSN:18833365)
巻号頁・発行日
vol.13, pp.E19-004-1-E19-004-11, 2020 (Released:2020-05-27)
参考文献数
29
被引用文献数
4

The polymorphic transformation that occurs in the Cu6Sn5 intermetallic compound (IMC) at 186°C has the potential to generate stresses that could lead to cracking of that phase in soldered joints during the multiple reflow cycles of a typical printed board assembly process and the thermal cycles to which electronic assemblies are exposed during service. In this paper the authors report on the effect of variations in the cooling stage of a reflow soldering thermal profile on the incidence and extent of cracking in the Cu6Sn5 at the interface between solder alloys and copper substrates. The solder alloy/substrate combinations studied were Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu and Sn-0.7Cu-0.05Ni-1.5Bi/Cu. The cooling conditions were (i) the direct-cooling of a conventional reflow profile, and (ii) an alternative reflow profile with one of three extended isothermal holding periods of 30, 60, and 180 seconds at 140°C during the cooling stage. It was found that the alternative reflow profiles reduced cracking in the interfacial Cu6Sn5 IMC layer and this resulted in improved resistance of the reflowed solder ball to failure in high speed impact shear when the distribution of stress tends to favor crack propagation though the interfacial IMC rather than through the bulk solder.
著者
白井 康之 丸山 満徳
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
HYBRIDS (ISSN:09142568)
巻号頁・発行日
vol.7, no.4, pp.39-43, 1991-10-01 (Released:2010-03-18)
参考文献数
2
被引用文献数
1 1
著者
高橋 丈博 田中 利和 渋谷 昇 伊藤 健一 高橋 康夫
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
サーキットテクノロジ (ISSN:09148299)
巻号頁・発行日
vol.7, no.5, pp.314-319, 1992-09-20 (Released:2010-03-18)
参考文献数
7

プリント配線板における配線設計を行う上での設計指針を与えることを目的とし, ビアをもっ配線板で信号伝送測定を行い, 配線ビアの信号伝送波形への影響を調べた。この結果, 立ち上がり1ns程度の波形に対して, 伝送波形はほとんど変化せず, ビアの個数やクリアランスの大きさを変えても波形はほとんど変化しなかった。ビア部分の特性インピーダンスを測定したところ, 特性インピーダンスはクリアランスの大きさに依存し, 配線部の特性インピーダンスから20%程度違っていた。しかし, 伝送波形の計算を行い, ほとんど影響を与えないことが計算でも確認された。つぎに, 信号の立ち上がり時間, ビアの特性インピーダンスとの波形歪と関係を計算し, 立ち上がり時間が速くなってくるとビアの影響が波形に現れてくることを明らかにした。
著者
守吉 佑介
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
エレクトロニクス実装学会誌 (ISSN:13439677)
巻号頁・発行日
vol.6, no.3, pp.266-273, 2003-05-01 (Released:2010-03-18)
参考文献数
17
被引用文献数
1
著者
谷 貞宏
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
エレクトロニクス実装学会誌 (ISSN:13439677)
巻号頁・発行日
vol.9, no.5, pp.363-367, 2006-08-01 (Released:2010-03-18)
参考文献数
11
被引用文献数
2
著者
Hiroyuki Kuwae Kosuke Yamada Takumi Kamibayashi Wataru Momose Shuichi Shoji Jun Mizuno
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging (ISSN:18833365)
巻号頁・発行日
vol.13, pp.E19-014-1-E19-014-9, 2020 (Released:2020-03-01)
参考文献数
31
被引用文献数
3

A low-temperature Cu–Cu bonding technique using a thin metal intermediate layer deposited by atomic layer deposition (ALD) was developed. A thin Pt intermediate layer was selectively deposited on the Cu surface at the angstrom level by ALD without any mask under low vacuum conditions (24 Pa). To suppress the deterioration of bonding reliability caused by impurities at the bonding interface, quasi-direct bonding was realized by using a thin Pt intermediate layer. The Cu–Cu quasi-direct bonding with a thin Pt layer provided a bonding strength of 9.5 MPa, which was five times higher than that without the intermediate layer (1.9 MPa). These results will contribute to the development of low-temperature Cu–Cu bonding for three-dimensional integrated circuit chips.
著者
堀口 進
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
HYBRIDS (ISSN:09142568)
巻号頁・発行日
vol.6, no.1, pp.16-21, 1990-01-01 (Released:2010-03-18)
参考文献数
32
被引用文献数
1 3
著者
曽我 太佐男 佐々木 秀昭 白井 貢 九嶋 忠雄
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
サーキットテクノロジ (ISSN:09148299)
巻号頁・発行日
vol.8, no.5, pp.380-394, 1993-07-20 (Released:2010-03-18)
参考文献数
15
被引用文献数
1 2

プリント配線板上に搭載される電子部品のスルーホール継手構造について, 温度サイクル加速試験による信頼性評価を行った。スルーホール継手のコネクタなしのピン構造におけるクラック進展要因を明らかにし, クラック進展を低減するための対策を示した。この構造では, 汎用のガラスエポキシ基板に対して, ピンと基板間の熱膨張差で生ずるはんだの最大せん断歪とクラック発生率との相関性は得られないことがわかった。そこで, ピン, 基板, はんだ間の熱膨張差で発生する軸方向に作用する最大応力で評価した結果, 最大応力とクラック発生率との相関性を見出した。その結果, 応力が大なるほどクラック発生率が高いこと, ガラスエポキシ基板の場合, ピン径が大なるほど応力は小さく, クラック発生率が低いこと等を明らかにした。他方, 実用的な構造であるコネクタ付ピン継手のクラック進展についても検討した。クラック進展の主な駆動力は, コネクタとプリント配線板との基板面方向の熱膨張差で生ずる曲げによる歪である。コネクタ両端部のピン継手におけるクラック進展は中央部ピン継手に比べ顕著に大であり, コネクタの構造, 寸法効果が大きいことがわかった。一般的に, スルーホール継手構造においては, ピンが穴の周囲で拘束されるため, 初期にフィレット部でクラックが早期に発生しても, クラック進展速度はクラック進展と共に低下してくる。このため, スルーホール継手はフリップチップ形, フラットパッケージ形継手と比べ, 高信頼構造であると考えられる。

1 0 0 0 OA はんだ材料

著者
横井 重己
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
SHM会誌 (ISSN:09194398)
巻号頁・発行日
vol.9, no.4, pp.39-46, 1993-07-01 (Released:2010-03-18)
参考文献数
3
著者
西 壽雄
出版者
The Japan Institute of Electronics Packaging
雑誌
サーキットテクノロジ (ISSN:09148299)
巻号頁・発行日
vol.8, no.3, pp.209-216, 1993-05-20 (Released:2010-03-18)
参考文献数
5

電子機器の高機能化, 小型化に対応し, 基板への部品実装技術も高密度化が要求されている。我々は上記要求に応じて0.3mmピッチQFPの実装技術を開発した。本技術の確立のためには下記の3つのキーテクノロジが必要である。1) プリコートによるはんだ供給, 2) 搭載直前のリード成形, 3) レーザ認識による高精度搭載。ファインピッチQFPの代表として日本TI製の144ピン0.3mmピッチS-FPACの実装実験を上記技術を用いて行い, パッケージ接合率99.6%, リード接合率99.99%を得た。フィレット形状および接合強度も十分であった。