著者

渡辺 向陽

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.84, no.7, pp.593, 2015-07-10 (Released:2019-09-27)

著者

竹内 健

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.88, no.6, pp.376-381, 2019-06-10 (Released:2019-09-20)

参考文献数

6

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深層学習など,機械学習に最適な不揮発性メモリを紹介する.機械学習では,ある程度のエラーを許容する(精度を落とすことができる)ことを利用して,不揮発性メモリの高速化・低電力化・低コスト化を図る.ただし,LSIのチップレベルではエラーが存在しても,機械学習を使った推論・認識の精度は落とさないようにすることが必要である.本稿では,機械学習に向けてエラーを許容した,Approximateコンピューティングを適用したSRAM・DRAM・不揮発性メモリを紹介する.メモリのみならず,深層学習のネットワーク,積和演算器(データ処理部),ネットワークなどさまざまな階層で,機械学習応用を対象としたApproximateコンピューティングの検討が行われている.機械学習に最適なコンピュータを実現するためには,これらソフト・ハードの異種レイヤを統合し,どのレイヤでどのようなエラーが許容されるかを,今後明らかにする必要がある.

著者

中川 靖夫 国友 義久

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.32, no.1, pp.23-29, 1963

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Solarization of various kinds of glass-hard glass of mercury lamp for copying, soda glass, quartz glass etc. -by exposure to ultra-violet rays from a quartz tube mercury lamp is measured and their cut-off characteristic in ultra-violet region is examined with the following results.<br> (1) Some solarization is caused in every sample of glass during the first 20 hours of alto-gether 100 hour exposure to strong ultra-violet rays; during the rest 80 hours, the solarization remains practically unchanged.<br> (2) On the surface of soda glass, a thin white film is formed by 20 hours exposure to the rays, lowering the transmittance because of the film which can be wiped off, leaving the glass not much affected.<br> (3) One way of representing the solarization is to use a diagramatized model of cut-off characteristic of glass.

著者

溝口 照康

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.88, no.11, pp.745-749, 2019-11-10 (Released:2019-11-10)

参考文献数

21

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マテリアルズインフォマティクスブームのおかげで,さまざまな情報を与えてくれる材料データベースが公開されています.一方で,そのようなデータベースが与えてくれるのは,単結晶バルクの情報だけであり,材料特性に決定的な役割を果たしている格子欠陥の情報は与えてくれません.筆者らは仮想スクリーニングやベイズ最適化,さらに転移学習などの機械学習法を利用し,格子欠陥の一種である結晶界面の構造を決定するプロセスを飛躍的に向上させることに成功しました.本稿では,それらの研究に関して紹介します.

著者

杉山 尚宏 岡本 篤人

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.70, no.5, pp.569-570, 2001-05-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

6

著者

井上 靖朗 山口 泰男

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.64, no.11, pp.1104-1110, 1995-11-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

32

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マルチメディア時代に向けた低消費電力デバイスの基板材料として有望視されているSOI基板およびその上に形成されたSOIデバイスの基礎と最近の開発動向および今後の課題についてまとめた.

著者

楠本 業

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.42, no.7, pp.756-762, 1973-07-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

4

著者

宇田 聡

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.88, no.10, pp.653-658, 2019-10-10 (Released:2019-10-10)

参考文献数

16

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育成環境が予期せぬ摂動により非定常状態になっても成長結晶に組成変動が起きない真のコングルエント組成を,第3成分としてMgを加えたニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムを対象にして開発した.コングルエントに新しい化学量論構造を組み合わせることによりイオン種を含むあらゆる化学種の平衡分配係数k0†1は1となり,界面が非平衡に移動しても全ての化学種は偏析することなく結晶に分配するので,融液組成と同じ組成の結晶が成長する.

著者

中島 律子

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.88, no.8, pp.564-567, 2019-08-10 (Released:2019-09-20)

著者

淺田 常三郎 本出 英三郎 河野 鈴彦

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.10, no.1, pp.1-6, 1941

著者

淺田 常三郎 本出 英三郎

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.12, no.7, pp.307-311, 1943

著者

若生 茂雄 石田 俊正

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.42, no.12, pp.1251-1256, 1973-12-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

13

著者

岡村 総吾

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.47, no.1, pp.1, 1978-01-10 (Released:2009-02-09)

被引用文献数

1

著者

平木 昭夫 伊藤 利道 入田 章光

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.66, no.3, pp.235-241, 1997-03-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

19

被引用文献数

2

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気相合成ダイヤモンドの新しい応用分野として電子工ミッターが注目を葉めている.光電子放出によるダイヤモンドの負牲電子親和力(用語)の評価とそれを応用したダイヤモンド薄膜電子エミッターの試作について紹介する.

著者

阿部 敏雄 西 義雄

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.36, no.7, pp.562-568, 1967 (Released:2009-02-09)

参考文献数

35

著者

岡田 正和 佐藤 清隆 稲岡 紀子生

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.50, no.10, pp.1055-1064, 1981-10-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

59

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The growth mechanisms of long-chain molecular crystals studied by surface characteriza-tion have been briefly summarized. The characteristic growth mechanisms of lateral and basal planes of long-chain compound were analysed by the measurements of growth kinetics from solution phase. The generation mechanisms of giant screw dislocations responsible for the spiral growth of the basal plane were summarized and the recent studies for the mechanism, in which the giant screw dislocations can be introduced as a result of interactive actions of laterally-moving growth steps, have been described. The surface characterization for vacuum-deposited thin films, i. e., long-chain molecular films and metal films has been alsodescribed with respect to the properties of the surfaces of long-chain compounds.

著者

朝倉 利光

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.33, no.10, pp.745-753, 1964-10-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

148

著者

平川 一彦 川口 康 山中 宏治 小宮山 進

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.68, no.9, pp.1027-1033, 1999

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シリコンMOS反転層や繁導体ヘテロ構造界衛に蓄積ずる二次元電子系に強磁場を印加することに より発現する量子ホール効果は,その精密なホール抵抗の量子化のため,抵抗標準への応用が進められ てきた.しかし,最近,量子ホール効粟状態における特異な電子状態を積極的に利用することにより, 超高感度の遠赤外光検出が可能であることが明らかになってきた.しかも,その光検出感度は,市販の 遠赤外光検出器であるシソコンボロメーターの100~1000倍にも達する。本解説では,量子ホール効果 を用いた超高感度遠赤外光検出の物理機構とその応用に関するわれわれの最近の概究を紹介する.

著者

津屋 英樹

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.67, no.8, pp.939-940, 1998-08-10 (Released:2009-02-05)

著者

山中 一司

出版者

応用物理学会

雑誌

應用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.76, no.7, pp.751-757, 2007-07-10

参考文献数

30