著者

土井 康弘

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.25, no.3, pp.85-92, 1956

著者

梅野 正義

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.46, no.9, pp.889-890, 1977

著者

木下 是雄 横田 英嗣

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.34, no.11, pp.782-794, 1965

---

After describing briefly the principle and techniques of ellipsometry, the authors review the recent developments in ellipsometric studies of films and surfaces with comments on future possibilities. The items covered are: determination of optical constants, observation of transition layers, adsorption studies, work on oxidation and corrosion of solid surfaces, and others.

著者

五明 明子 鈴木 徹 飯島 澄男

出版者

応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.58, no.9, pp.p1360-1367, 1989-09

被引用文献数

2

著者

五明 明子 鈴木 徹 飯島 澄男

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.58, no.9, pp.1360-1367, 1989

---

有機金属気相成長により成長したGa_xIn_1-xP結晶のバンドギャップエネルギー (<i>E</i>_g) が, GaAs基板に格子整合のとれた組成 (<i>x</i>=0.5) のもとで,既報告値~1.92eVより約90meV低い値をとりうることを見いだした. Ga_0.5In_0.5Pの<i>E</i>_gは,成長時の原料のV族対III族濃度比,成長温度, ZnやMgなどのp型不純物ドーピング濃度,基板結晶方位などに依存する.このE_g異常に対応して, [〓1&plusmn;11] 方向のGaとIn単層超格子の形成を見いだした,この単層超格子の形成に対する基板方位の及ぼす影響を調べ,超格子の形成に基板が本質的な役割を果たすことを明らかにした.その結果に基づいて,超格子形成メカニズムを提案した.

著者

飯島 澄男

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.62, no.10, pp.1032-1033, 1993

著者

藤原 美幸

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.44, no.4, pp.367-372, 1975-04-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

18

著者

高橋 清

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.67, no.7, pp.831-834, 1998-07-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

7

---

ヘテ自接合は,半導体工ピタキシー技術の開発以後急速に発展し,ヘテ爲接合のエネルギーの不連続性を利用したいろいろな新しいデバイスが開発されている.本稿では,半導体ヘテロ接合とは何か,格子整合・不整合の場合のヘテロ接含のエネルギー帯構造の考え方,ヘテロ接合の特徴,その特徴を生かしたヘテこ1接合デバイス,舎後の展望などについて解説する.

著者

小川 誠二

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.42, no.3, pp.214-225, 1973

---

Recent development in the application of magnetic resonance to biological systems is briefly reviewed. The magnetic resonance methods including high resolution NMR, pulse NMR and spin label EPR are described in terms of their merits and limitations in biological application. Recent interesting studies on biological macromolecules by magnetic resonance are explained in three sections : protein, nucleic acid and biological membrane. The covered topics in the protein section are histidine titration in RNase, various approaches taken for studying lysozyme, the heme-heme interaction in ;hemoglobin, oxidation-reduction in cytochrome c and few others. Paramagnetic relaxation enhancement method applied to the studies of the active sites of enzymes is also mentioned. In the nucleic acid section only tRNA studies are briefly described. The topics mentioned in the biological membrane section are molecular motions in phospholipid bilayers.

著者

青木 昌治 菅 義夫

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.29, no.6, pp.363-370, 1960

---

For the purpose of obtaining superior thermoelectric materials, purification of Bi, Te and Bi₂Te₃ has been carried out.<br> Bismuth is purified by the method of alkali-treatment and zone melting in removing Cu, Ag and Pb.<br> For the purification of tellurium, vacuum distillation is very efficient to remove Cu, Ag and Pb.<br> Measured thermoelectric power a and resistivity of purified Bi₂Te₃ were &alpha;=235&mu;V&bull;deg^-1, and p=1.16&times;10^-3&Omega;&bull;cm respectively.<br> The influence of addictive impurities on Bi₂Te₃ is examined. Tl, Li, Pb and Cd etc. are p-type and Cu, Ag, Se, Te, halogen and metal-halides etc. are n-type impurities.<br> The thermoelectric properties of PbTe, Sb₂Te₃, Bi₂Te₃-Sb₂Te₃ and Bi₂Te₃-Bi₂Se₃ solid solution are examined. The result shows that the solid solution of isomorphous compounds is suitable for the thermoelectric material.<br> By the use of (Bi-Sb)₂Te₃ <i>p</i>-type element and Bi₂(Te-Se)₃ <i>n</i>-type element thermojunctions, the temperature drop of 71.3 deg was attained with a temperature of hot junction of 30&deg;C.

著者

青木 昌治

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.26, no.6, pp.215-228, 1957

著者

青木 昌治

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.18, no.10, pp.352-353, 1950

著者

勝山 俊夫 細見 和彦

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.71, no.6, pp.664-670, 2002

---

半導体中で励起子(電子・正孔対)と光が結合した励起子ポラリトンの素子応用について報告する.このポラリトンは,電界などに鋭敏に応答する電子(正孔)とコヒーレンスがよい光の両者の性質をあわせもつ特長があり,これらの利用によって,従来の電子素子や光素子とは違った新しい極微細光・電子融合デバイスの実現が期待される.ここでは,ポラリトンの電界による位相変調効果,ポラリトンの安定化について議論するとともに,光素子の低動作電圧化と極微細化の試みを中心に最近の進展を報告する.

著者

国府田 隆夫 平林 泉 十倉 好紀

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.45, no.11, pp.1069-1073, 1976

著者

須田 理行 山本 浩史

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.89, no.4, pp.203-207, 2020-04-10 (Released:2020-04-10)

参考文献数

25

---

電子がカイラルな分子を通過すると,スピン偏極が生じるという現象(CISS)を利用して,新たなスピン偏極電流源を作製した.このデバイスで我々が用いたのは分子モータと呼ばれる可動性の分子で,光と熱によって1方向に内部回転を行う.この回転が4ステップに分割されたカイラリティ反転を伴うため,モータ分子の薄膜を内蔵したスピンバルブに対して光を照射したり熱を加えたりすることによって,電流のスピン偏極を反転させることに成功した.これは新たなタイプの再構成可能なスピン偏極デバイスであり,電子回路におけるスピン偏極源としての有機分子の可能性を示している.

著者

山中 俊治

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.89, no.7, pp.410-413, 2020-07-10 (Released:2020-07-10)

著者

白川 英樹 山邊 時雄 吉野 勝美

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

應用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.77, no.8, pp.903-909, 2008-08-10

著者

高元 曄夫

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.25, no.7, pp.283-289, 1956-07-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

12

---

By means of the probe method (1) the distribution of resistance in a coating layer, (2) Iemission-Vprove characteristics and (3) the grid action of the probe are studied. Ex-perimental results show that the resistance near the emitting surface is a few times higher than the resistance of the inner bulk oxide while the resistance of the interface layer is not so high. Thus the substantial potential drop is supposed to exist near the emitting surface. At a large anode current, the potential drop across the coating layer becomes extremely high by the poisoning of gas released slightly from the plate leading to the thermal breakdown near the emitting surface. Cathode sparking of a diode often experienced in the earlier stage of working may perhaps be such type of breakdown.

著者

遠藤 忠

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.59, no.6, pp.712-724, 1990-06-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

48

被引用文献数

7

---

1990年1月1日を期して,ジョセフソン効果に基づいた電圧標準に加えて,量子ホール効果に基づいた抵抗標準が,世界中で統一して用いられている.これにより,量子現象の持つ普遍性と恒常性という優れた特長に支えられて,世界的に全く統一のとれた電磁気量の実用標準体系が実現した.この結果は,両標準の技術的側面の研究もさることながら,むしろ,地道な努力を重ねて永年行われてきた種々の基礎物理定数の測定のこれまでの総決算により生まれたものといえる.本稿では,基礎物理定数との関わりを中心に,両標準の実現に至った背景について解説する.

著者

大川 章哉

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.32, no.10, pp.719-730, 1963-10-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

21