- 著者
- 川戸 貴史
- 出版者
- 青木書店
- 雑誌
- 歴史学研究 (ISSN:03869237)
- 巻号頁・発行日
- no.950, pp.60-69, 2016-10
1 0 0 0 IR 室町幕府と宗氏 : 応永六年の被虜人送還について (安田次郎先生ご退職記念特集)
- 著者
- 伊東 亜希子
- 出版者
- お茶の水女子大学文教育学部人文科学科比較歴史学コース内読史会
- 雑誌
- お茶の水史学 (ISSN:02893479)
- 巻号頁・発行日
- no.59, pp.143-159, 2015
- 著者
- 佐々木 勇
- 出版者
- 明治書院
- 雑誌
- 国語と国文学 (ISSN:03873110)
- 巻号頁・発行日
- vol.93, no.5, pp.86-98, 2016-05
1 0 0 0 中世「四条河原」再考
- 著者
- 下坂 守
- 出版者
- 奈良大学史学会
- 雑誌
- 奈良史学 (ISSN:02894874)
- 巻号頁・発行日
- no.33, pp.1-23, 2016
1 0 0 0 中世後期の葬送と清水坂非人・三昧聖
- 著者
- 島津 毅
- 出版者
- 部落問題研究所
- 雑誌
- 部落問題研究 : 部落問題研究所紀要 (ISSN:02877856)
- 巻号頁・発行日
- no.215, pp.67-87, 2016-03
1 0 0 0 中世の節供について : 祗園社を中心に
- 著者
- 酒匂 由紀子
- 出版者
- 立命館大学人文学会
- 雑誌
- 立命館文學 = The journal of cultural sciences (ISSN:02877015)
- 巻号頁・発行日
- no.647, pp.721-725, 2016-03
- 著者
- 坂田 聡
- 出版者
- 京都民科歴史部会
- 雑誌
- 新しい歴史学のために = For new historical science (ISSN:09123296)
- 巻号頁・発行日
- no.289, pp.19-38, 2016-10
- 著者
- 湯浅 治久
- 出版者
- 日本史研究会
- 雑誌
- 日本史研究 = Journal of Japanese history (ISSN:03868850)
- 巻号頁・発行日
- no.644, pp.3-23, 2016-04
1 0 0 0 『愚管抄』校訂私考
- 著者
- 坂口 太郎
- 出版者
- 古代学協会
- 雑誌
- 古代文化 = Cultura antiqua (ISSN:00459232)
- 巻号頁・発行日
- vol.68, no.2, pp.196-216, 2016-09
- 著者
- 入間田 宣夫
- 出版者
- 校倉書房
- 雑誌
- 歴史評論 (ISSN:03868907)
- 巻号頁・発行日
- no.795, pp.35-45, 2016-07
1 0 0 0 IR 「白直垂」の装いからみる武家の意識 : 鎌倉時代から室町時代へ
- 著者
- 山岸 裕美子
- 出版者
- お茶の水女子大学文教育学部人文科学科比較歴史学コース内読史会
- 雑誌
- お茶の水史学
- 巻号頁・発行日
- vol.59, pp.99-141, 2016-01
- 著者
- 守田 逸人
- 出版者
- 青木書店
- 雑誌
- 歴史学研究 (ISSN:03869237)
- 巻号頁・発行日
- no.950, pp.49-60, 2016-10
1 0 0 0 毛利氏の覇権確立と家格上昇
- 著者
- 川岡 勉
- 出版者
- 中世史研究会
- 雑誌
- 年報中世史研究 (ISSN:03888916)
- 巻号頁・発行日
- no.41, pp.33-59, 2016
1 0 0 0 武家伝奏飛鳥井雅教の登用とその背景
- 著者
- 水野 嶺
- 出版者
- 戦国史研究会 ; 1981-
- 雑誌
- 戦国史研究 (ISSN:02877449)
- 巻号頁・発行日
- no.72, pp.1-12, 2016-08
1 0 0 0 足利義昭政権と武田信玄 : 元亀争乱の展開再考
- 著者
- 柴 裕之
- 出版者
- 吉川弘文館
- 雑誌
- 日本歴史 (ISSN:03869164)
- 巻号頁・発行日
- no.817, pp.1-17, 2016-06
1 0 0 0 戦国大名分国における領域秩序形成の過程 : 北条分国を例にして
- 著者
- 村井 良介
- 出版者
- 洛北史学会
- 雑誌
- 洛北史学 (ISSN:13455281)
- 巻号頁・発行日
- no.18, pp.26-48, 2016
1 0 0 0 一五世紀初頭、日明間の使節往来 : 足利義満論の一環として
- 著者
- 村井 章介
- 出版者
- 七隈史学会
- 雑誌
- 七隈史学 (ISSN:13481304)
- 巻号頁・発行日
- no.18, pp.1-15,図巻頭1枚, 2016-03
1 0 0 0 「綸旨万能」再考
- 著者
- 喜多 泰史
- 出版者
- 鎌倉遺文研究会 ; 1998-
- 雑誌
- 鎌倉遺文研究 (ISSN:13450921)
- 巻号頁・発行日
- no.37, pp.54-71, 2016-04
- 著者
- Ko Tsung-Shine Chen Zheng-Wen Lin Der-Yuh Suh Joonki Chen Zheng-Sheng
- 出版者
- Institute of Physics
- 雑誌
- Jpn. J. Appl. Phys. (ISSN:00214922)
- 巻号頁・発行日
- vol.56, no.4, 2017-03-24
- 被引用文献数
- 4
In this study, Ni-doped MoS<inf>2</inf>was grown by chemical vapor transportation. Photoconductivity results reveal that Ni-doped MoS<inf>2</inf>has an obvious doping level of 1.2 eV and an electrical conductivity of σ ≅ 9.92 × 10<sup>−7</sup>S cm<sup>−1</sup>at room temperature, which is lower than that of undoped MoS<inf>2</inf>(σ ≅ 7.913 × 10<sup>−5</sup>S cm<sup>−1</sup>) owing to the impurity state caused by Ni atoms. Hall effect measurement results indicate that Ni-doped MoS<inf>2</inf>sample is of the n-type and has a higher resistance and a lower mobility than undoped MoS<inf>2</inf>. We further fabricated undoped and Ni-doped MoS<inf>2</inf>photodetectors to understand the operation characteristics of MoS<inf>2</inf>-based photodetectors. Persistent photoconductivity shows that both rise and fall times decreased from 0.33/0.68 to 0.14/0.43 s as Ni atoms were doped in MoS<inf>2</inf>PDs. This work shows that Ni atoms could cause small lattice imperfections to form trap states leading to high resistance, low mobility, small activation energy and short decay time. Therefore, doping Ni atoms in MoS<inf>2</inf>is beneficial for the application of photodetectors.