著者

岡村 総吾

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.47, no.1, pp.1, 1978-01-10 (Released:2009-02-09)

被引用文献数

1

著者

平木 昭夫 伊藤 利道 入田 章光

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.66, no.3, pp.235-241, 1997-03-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

19

被引用文献数

2

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気相合成ダイヤモンドの新しい応用分野として電子工ミッターが注目を葉めている.光電子放出によるダイヤモンドの負牲電子親和力(用語)の評価とそれを応用したダイヤモンド薄膜電子エミッターの試作について紹介する.

著者

阿部 敏雄 西 義雄

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.36, no.7, pp.562-568, 1967 (Released:2009-02-09)

参考文献数

35

著者

岡田 正和 佐藤 清隆 稲岡 紀子生

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.50, no.10, pp.1055-1064, 1981-10-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

59

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The growth mechanisms of long-chain molecular crystals studied by surface characteriza-tion have been briefly summarized. The characteristic growth mechanisms of lateral and basal planes of long-chain compound were analysed by the measurements of growth kinetics from solution phase. The generation mechanisms of giant screw dislocations responsible for the spiral growth of the basal plane were summarized and the recent studies for the mechanism, in which the giant screw dislocations can be introduced as a result of interactive actions of laterally-moving growth steps, have been described. The surface characterization for vacuum-deposited thin films, i. e., long-chain molecular films and metal films has been alsodescribed with respect to the properties of the surfaces of long-chain compounds.

著者

朝倉 利光

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.33, no.10, pp.745-753, 1964-10-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

148

著者

平川 一彦 川口 康 山中 宏治 小宮山 進

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.68, no.9, pp.1027-1033, 1999

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シリコンMOS反転層や繁導体ヘテロ構造界衛に蓄積ずる二次元電子系に強磁場を印加することに より発現する量子ホール効果は,その精密なホール抵抗の量子化のため,抵抗標準への応用が進められ てきた.しかし,最近,量子ホール効粟状態における特異な電子状態を積極的に利用することにより, 超高感度の遠赤外光検出が可能であることが明らかになってきた.しかも,その光検出感度は,市販の 遠赤外光検出器であるシソコンボロメーターの100~1000倍にも達する。本解説では,量子ホール効果 を用いた超高感度遠赤外光検出の物理機構とその応用に関するわれわれの最近の概究を紹介する.

著者

津屋 英樹

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.67, no.8, pp.939-940, 1998-08-10 (Released:2009-02-05)

著者

塚本 勝男

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.57, no.10, pp.1565-1566, 1988

著者

山口 栄一 西岡 孝

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.62, no.7, pp.712-714, 1993-07-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

8

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重水素化パラジウム(Pd-D)の一表面にAuを蒸着し,もう片面に酸化膜MnO2を蒸着した試料を真空中に置いて,通電加熱することにより,4Heの生成をリアルタイムで観測した.測定は,高分解能(4amuにおいて0.001amu)四重極質量分析装置を用いて行った.4Heの質量(4.0026amu)に等しいピークは,重水素分子の質量(4.0282amu)に等しいピークと明確に分離し得,その出現は,通電加熱を始めて数時間後に突然起きる試料温度の急激な上昇と時間的な相関を有していた.一方,軽水素化パラジウム(Pd-H)を用いた同様の実験では,4Heの質量に等しいピークの出現は観測されなかった.以上の実験結果は,固体中で新しいメ力ニズムによる核反応が生じていることを示唆する.

著者

清水 明

出版者

The Japan Society of Applied Physics

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.62, no.9, pp.881-888, 1993

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現代の物理では,光も電子も量子化された場としてとらえられている.これを積極的に利用すれば,古典デバイスはもちろん,通常の量子工学をも越えた応用-量子場工学-が可能になる.その考え方を説明し,その代表例として光子や電子のサプボアソン状態の物理と応用を解説する.

著者

松尾 正之 江刺 正喜

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.49, no.6, pp.586-593, 1980-06-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

23

被引用文献数

1

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The Ion Sensitive Field-Effect Transistor (ISFET) is a new device for sensing cation activity in the electrolyte. This device is similar to the conventional MOSFET except that the gate insulator is exposed to solution. The gate insulator plays the role of an ion selective electrode and its potential can be detected by its FET action. ISFET's have potential advan-tages over conventional ion selective electrode in their rapid response, small size and low output impedance, and are extremely attractive for biomedical applications. The chemical responses of ISFET's depend on its surface materials. A nearly ideal pH response, excellent stability and selectivity to other cations are obtained using Al203 or Ta2O5. On the other hand, SiO2 shows a poor response and it is proved that the oxygen content in Si3N4 surface degrades its properties as a pH sensor. Sodium-alumino-silicate glass (NAS glass), which is generally known as a material for pNa, pK selective glass electrodes, is utilized as a surface material for the pNa and pK ISFET. The selectivities of these devices are comparable to that of the conventional pNa pK glass electrodes. Some applications of ISFET are also described, that is, micro ion sensor, multi-ion sensor (pH and pNa), combined pH sensor, and pCO2 sensor.

著者

今城 尚久

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.63, no.8, pp.824-829, 1994-08-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

10

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電気は,明かり,熱,動力そして情報,通信など私たちの暮らしになくてはならないエネルギーとなっており,今後もその使用量は着実に増えていくものと考えられている.このために,電力の発生,輸送および使用の各分野で効率の向上が求められている.これまで需要の増大に対応することを目的に種々の損失低減技術が開発されてきた.まず始めに,先人の開発した三相交流送電方式が,帰路導体を省略したことで資源とその抵抗損の節約という基本的な損失低減であることに気づく.そして送電損失の低減は抵抗損の低減という目的のために超高圧および超々高圧送電が開発されてきたこと,また都市部で必要な高電圧ケーブルでは誘電体損の低減も重要なことを示す.

著者

土井 康弘

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.25, no.3, pp.85-92, 1956-03-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

15

被引用文献数

1

著者

梅野 正義

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.46, no.9, pp.889-890, 1977-09-10 (Released:2009-02-09)

参考文献数

7

著者

小林 伸彦

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.70, no.10, pp.1178-1181, 2001-10-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

17

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走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて個々の原子を操作することにより,人工ナノ構造の作成が可能となっている.また,そのナノ構造の電気伝導特性を利用し,ナノテクノロジーへの応用も期待されている.本稿では,第一原理電子状態計算による原子操作や原子細線の電気伝導の研究を紹介し, STMによるSi原予引き抜きにおいて,探針による近接効果やバイアス電圧による効果がどのように働き原子が引き抜かれるか,また,個々の原子が連なったAl原子細線がどのような伝導特性をもつかを解説する.

著者

荒川 泰彦

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.61, no.8, pp.800-804, 1992-08-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

12

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半導体微細加工技術の進歩に伴い,最近量子細線,量子箱構造が広く注目を集めている.展望では,有機金属気相選択成長法(MocVD選択成長法)によるGaAs量子細線の作製技術について,著者らの最近の研究成果を中心に議論する.われわれが作製したGaAs量子細線は,SiO2パターン上の選択成長により形成され,一辺20nm以下の三角形状の断面を有している.キャリアの二次元的量子閉じ込め効果は,フォトルミネッセンスや磁気フォトルミネッセンスなどの測定によりその存在が確認された.また,キャリア寿命や時間分解スペクトルなどの観測も行い,キャリアの低次元性に起因すると思われる結果を得た.ざらに岡様な手法を用いてGaAs量子ドット構造の作製も試みている.

著者

福井 孝志 安藤 精後

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.61, no.2, pp.141-144, 1992-02-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

13

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有機金属気相成長法による選択成長を用いた新しい量子細線・量子ドット構造として,ファセット量子細線,ラテラル量子細線および四面体量子ドット構造を作製した.他の方法と比較した利点は,lOnm以下の半導体極微構造が,加工ひずみなしに得られることにある.

著者

和田 一実

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.64, no.7, pp.653-659, 1995-07-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

31

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半導体量子微細構造制御には,克服すべきいくつかの基本的な限界がある. (1) 表面・界面のステツプ, (2) 加工により誘起される損傷, (3) 表面でのフェルミ準位ピニング, (4) 表面張力による歪み,および (5) 電子励起による原子移動などがおもなものである.本稿では,化合物半導体,おもにGaAsを舞台に,基本的限界として(1)表面ステップおよび (2) 加工損傷にっいて解説するとともにブレークスルーへのアプローチとその最近の進展に触れる.

著者

菅原 充 向井 剛輝 中田 義昭

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.69, no.11, pp.1305-1309, 2000-11-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

11

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量子ドット結晶の自己形成法発見というプレークスルーによって,量子ドットレーザーの研究は急速に発展した.われわれは,独自の自已形成方法により,世界初の波長1.3μm室温連続発振と数mAの低しきい値電流発振を達成した.結晶成長技術とレーザー特性の現状を紹介するとともに,単一量子ドットの光学利得の均一幅とその発振スペクトルへの影響,温度と電流に依存した発振準位のジャンプとキャリア緩和時閤,応用と高性能化に向けた課題について述べる.

著者

金子 正彦 中沖 有克

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.64, no.5, pp.445-450, 1995-05-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

13

被引用文献数

1

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磁気超解像(Magnetically induced Super-Reselution MSR)光磁気ディスクは1991年にfront aperture detection (FAD), rear aperture detection (RAD)の2つの検出方法が提案されて以来,光磁気ディスクの高密度化の有力な季法の一つとして,種々の改良が加えられ,研究開発が盛んに行われている.本稿では磁気超解像の基本原理の説明とともに,最近発表された各方式の比較検討を行い,大容量光磁気ディスク実用化への展望も試みる.