著者
山中 公博
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第28回エレクトロニクス実装学術講演大会
巻号頁・発行日
pp.308-311, 2014 (Released:2018-07-27)

はんだ接合部のエレクトロマイグレーションについて、発生メカニズムなどの基礎、現状の研究開発状況、さらに、今後の課題について解説する。
著者
小西 亨 高橋 亨
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集
巻号頁・発行日
vol.17, pp.71, 2002

ドライフィルム中に含まれる成分が現像機中に付着堆積する, いわゆるスラッジを低減すべく、従来の分散剤等を添加して改善する方法とは異なり, 汚染物を発生させないような材料を, 米国デュポン社と共同で開発をおこなった。本報ではその効果と実際のドライフィルムフォトレジスト製品への適用例を紹介する。スラッジの発生は本件を適用することにより80%以上低減することができた。
著者
細田 奈麻絵 園田 悠太 対馬 英治 木村 隆 須賀 唯知
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第22回エレクトロニクス実装学会講演大会
巻号頁・発行日
pp.215-217, 2008 (Released:2009-10-02)

常温で液体で存在するガリウムをはんだ接合部に塗るとはんだが溶けるため部品を外すための分離作業を簡単に行うことができることを前回報告した。本研究ではジョイント部分のサイズ、塗る量、塗ってからの放置時間に対する剥離に必要な力の変化を定量的に調査した。リペアーへの応用を念頭に再接合をこころみたところ、剥離後に表面にガリウムが残る状態でも再接合できることが確認できた。
著者
江尻 芳則 櫻井 健久 荒山 貴慎 鈴木 邦司 坪松 良明 畠山 修二 有家 茂晴 廣山 幸久 長谷川 清
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学会誌 = Journal of Japan Institute of Electronics Packaging (ISSN:13439677)
巻号頁・発行日
vol.15, no.1, pp.82-95, 2012-01-01
参考文献数
37
被引用文献数
1 10

われわれはAuワイヤボンディング可能な無電解Ni/Pd/Auめっきを半導体実装用基板に採用し,従来の電解Ni/Auめっきと同等のはんだボール接続部の耐衝撃性を確保してきた。本報告では,この技術を20 μmより狭い配線間隙をもつ次世代基板に適用するため,高速度はんだボールシア試験法を用いて耐衝撃性を確保できる無電解Niめっき皮膜の下限値を検討した。Sn–3Ag–0.5Cuのはんだボールを用い,ピーク温度252℃の窒素リフロー7回,または空気中150℃,1,000 hの熱処理での無電解Niめっき皮膜の下限値は1 μmであった。また,携帯機器の落下試験で生じる不良と同様の界面破壊の原因は,端子とはんだの界面近傍のボイドの形成と,金属間化合物の結晶粒の微細化であることを見いだした。
著者
井門 修 舘野 正 長竹 真美 伊東 伸孝 安陪 光紀 三代 絹子
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第18回エレクトロニクス実装学術講演大会
巻号頁・発行日
pp.37-38, 2004 (Released:2004-09-01)

モバイル機器に搭載されている実装部品の衝撃強度を評価するために、衝撃時に実装基板上に発生する歪みを利用している。実装基板上の歪み波形は衝撃の加わる方向によって形状が異なる。鋼球落下衝撃試験や自然落下衝撃試験などの複数の試験方法により、部品単体の試験サンプルで実機搭載時相当の衝撃強度を評価することができる。
著者
多胡 州星
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第24回エレクトロニクス実装学術講演大会
巻号頁・発行日
pp.18-19, 2010 (Released:2014-07-17)

PCI Express、SATA、USB3.0、XFIなどに代表される数Gbps~十数Gbpsシリアル伝送を実現するLSI搭載SerDesマクロの技術動向に関する発表。クロックリカバリ技術、波形等価技術、インピーダンスマッチング技術などに関して発表を行う。
著者
宮﨑 達二郎 佐藤 敬介 藤原 敬宏 野田 尚昭 佐野 義一
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学会誌 (ISSN:13439677)
巻号頁・発行日
vol.23, no.2, pp.155-165, 2020

<p>本論文では,角柱状突合わせ継手の界面端角部および直線部のBad pair条件の違いを考察した。有限要素法(FEM)に基づく固有値解析で突合わせ継手の特異性指数を種々の材料組み合せにおいて求めた。界面端角部でのBad pair条件は,2次元モデルで知られている条件α(α−2β) > 0とかなり近いが,明確に異なる場合がある。ここで,(α, β) はDundursの複合材料パラメータである。すなわち,多くの場合には (α, β) で表現できるが,(α, β) のみでは表現できない場合が存在する。Bad pair条件の違いを明示するため,界面端角部で特異性が出現・消失する材料組み合せを (α, β) マップで比較して示した。さらに,3次元モデルでのGood pair,Equal pairおよびBad pairを判別する簡便式を提案し,その妥当性を解析結果に基づいて議論した。界面端直線部でのBad pair条件は,α(α−2β) > 0で表現できることを示した。</p>
著者
新城 沙耶加 馬場 邦人 田代 雄彦 渡辺 充広 本間 英夫
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集
巻号頁・発行日
vol.25, pp.403-404, 2011

現在,電子機器の内部にはプリント配線板が使用されている.従来,配線形成する方法には主にサブトラクティブ法が用いられている.しかしながら,この手法はレジストを使用して配線以外の部位の金属を溶解させ,配線を形成することから,金属の無駄などの問題が挙げられる.それゆえエッチングレス工程の確立が求められている.過去に我々は選択的に表面改質が可能であるUVオゾン法処理に着目し,UV照射を行った部位にのみ無電解めっきを析出させる選択析出法を報告した.本手法を用い,配線形成部にのみ無電解めっきを施し,その配線に対して垂直方向に金属皮膜を成長させることにより,レジストレスで直接配線形成する方法を検討した.
著者
今野 宗一郎 山本 隆彦 越地 耕二
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第27回エレクトロニクス実装学術講演大会
巻号頁・発行日
pp.312-318, 2013 (Released:2018-07-27)

近年,ワイヤレス電力伝送を用いた給電,充電に注目が集まっている.この技術を用いることにより,スマートフォンのような携帯機器のものから電気自動車のような大型機器まで,容易に充電することが可能となる.本研究ではスパイラルコイルについて巻線パターンを工夫することにより結合係数向上の検討を行ったので報告する.
著者
古賀 大尚 能木 雅也 菅沼 克昭
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第27回エレクトロニクス実装学術講演大会
巻号頁・発行日
pp.208-209, 2013 (Released:2018-07-27)

樹木からつくられる「紙」は、我々の日常に欠かせない伝統的な生活素材である。当研究室では、樹木を機械処理して得たセルロースナノファイバーを用いて、次世代の「透明な紙」を開発することに成功している。本発表では、この透明な紙の特徴とプリンテッドエレクトロニクス応用について述べる。
著者
野田 尚昭 高木 怜 任 飛 佐野 義一 高瀬 康 宮﨑 達二郎 鈴木 靖昭
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学会誌 (ISSN:13439677)
巻号頁・発行日
vol.22, no.4, pp.284-290, 2019

<p>著者らは,先の研究で2次元接着モデルを用いて接着強度を特異応力場の強さ(ISSF, Intensity of Singular Stress Field)一定で表せることを示した。本研究では実際の3次元形状を考慮して角部にフィレットを施した角柱状突合せ試験片の接着界面端部のISSFの分布を正確に求めた。また,コーナー部半径の大きさがISSFの最大値に及ぼす影響について議論した。ISSFの最大値の変化はρ/<i>W</i>≥0.0005で2%以内であることが示された。</p>
著者
郎 豊群 山口 浩 仲川 博 佐藤 弘
出版者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会
雑誌
エレクトロニクス実装学会誌 (ISSN:13439677)
巻号頁・発行日
vol.15, no.4, pp.271-278, 2012-07-01 (Released:2012-11-01)
参考文献数
25
被引用文献数
1 1

SiCパワーデバイスをNi(P)拡散バリア付きの配線基板(Si3N4/Cu/Ni(P))上にAu–Geはんだで接合させた後,300°C以上の高温保持状態に置くと,Ni(P)拡散バリアのNiがAu–GeはんだのGeと反応し,はんだとNi(P)の界面にNiGe,Ni5Ge3およびNi3Pの金属間化合物が生成することがわかった。Ni5Ge3金属間化合物は成長が速く,パワーデバイスの接合強度を著しく低減させる。これを防ぐため,Si3N4/Cu/Ni(P)配線基板の表面にスパッタ法で約200 nm厚みのTa/TaN/Ta拡散バリアを形成することで,SiC–SBDパワーデバイスの高温接合信頼性を改善することができた。330°C,1,600 h高温保持試験後,デバイスの接合強度はほぼ低下することなく,50 MPa以上を維持した。接合を含むデバイスの電気抵抗は低い数値で変化が見られなかった。また,Ni(P)/Ta/TaN/Ta拡散バリアは−40–300°Cの冷熱サイクル条件下においても剥離などは観察されなかった。