著者

安達 智史

出版者

日本社会学会

雑誌

社会学評論 (ISSN:00215414)

巻号頁・発行日

vol.66, no.3, pp.346-363, 2015

著者

三原 武司

出版者

日本社会学会

雑誌

社会学評論 (ISSN:00215414)

巻号頁・発行日

vol.66, no.3, pp.364-378, 2015

著者

木下 武司

出版者

公益社団法人日本薬学会

雑誌

ファルマシア (ISSN:00148601)

巻号頁・発行日

vol.46, no.9, pp.851-855, 2010-09-01

著者

越智 信仁

出版者

中央経済社

雑誌

企業会計 (ISSN:03864448)

巻号頁・発行日

vol.66, no.7, pp.1058-1064, 2014-07

著者

近藤 千聡 福岡 悦子 佐々木 忠徳 並木 徳之 高野 秀仁 安室 修 山元 俊憲

雑誌

薬剤学 = Journal of Pharmaceutical Science and Technology, Japan (ISSN:03727629)

巻号頁・発行日

vol.67, no.5, pp.347-355, 2007-09-01

被引用文献数

3

著者

森脇 優司

出版者

一般社団法人 日本痛風・核酸代謝学会

雑誌

痛風と核酸代謝 (ISSN:13449796)

巻号頁・発行日

vol.34, no.2, pp.217, 2010 (Released:2015-04-01)

著者

佐藤 真人

出版者

關西大学經済學會

雑誌

關西大學經済論集 (ISSN:04497554)

巻号頁・発行日

vol.60, no.4, pp.105-128, 2011-03-10

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本稿は、資本主義的蓄積の敵対的性格の一側面の分析として、戦後日本の資本主義的発展に伴う資本利益率格差の推移に実証面から第一次的に接近する。資本利益率は、経済学において伝統的な利潤率とは区別されるが、企業経営分析では一般的であり、当事者の意識により近い点で独自の意義を持つ。また資本利益率の中では、総資本営業利益率、税引き前当期純利益率、及び自己資本営業利益率に注目する。さらに自己資本営業利益率との関係で登場する自己資本比率(=資本/資産=1-負債/資産)、及びその格差にも触れる。 本稿の設問を直裁に表すと、戦後日本の資本利益率、及びその格差は、どのように推移しているか。またそれらは資本主義的発展と、どの様な相関があるかということである。この観点からの観察と分析の結果、資本利益率(及び格差)と経済全体の資本主義的発展を表す諸変数との間に多少の条件付で強い負の相関関係が確かめられる。その単純化した経済的意味は、経済全体の資本主義的発展が急速な時期は資本金規模別資本利益率 格差が縮小する(逆は逆)ということである。

著者

佐藤 真人

出版者

関西大学経済学会

雑誌

関西大学経済論集 = Economic review of Kansai University (ISSN:04497554)

巻号頁・発行日

vol.65, no.3, pp.251-281, 2015-12

著者

大阪市交通局森之宮建設事務所 熊谷・鉄建・不動特定建設工事共同企業体編

出版者

熊谷組大阪支店

巻号頁・発行日

1995

著者

倉山 満

出版者

日本法政学会

雑誌

法政論叢 (ISSN:03865266)

巻号頁・発行日

vol.50, no.1, 2013

著者

Kimura Yoshinari Kitamura Masatoshi Kitani Asahi Arakawa Yasuhiko

出版者

Institute of Physics

雑誌

Jpn. J. Appl. Phys. (ISSN:00214922)

巻号頁・発行日

vol.55, no.2, 2016-01-22

被引用文献数

3

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Pentacene-based organic thin-film transistors (TFTs) having a SiO<inf>2</inf>gate dielectric treated with oxygen plasma have been investigated for control of the threshold voltage. The threshold voltage changed in the wide range from −15 to 80 V, depending on plasma treatment time, AC power for plasma generation, and gate dielectric thickness. The threshold voltage change was attributed to negative charges induced on and/or near the surface of the gate dielectric. The threshold voltage change on the order of 1 V was particularly proportional to plasma treatment time. The predictable change enables the control of threshold voltage in this range. In addition, the effect of gate bias stress on threshold voltage was examined. The results suggested that gate bias stress does not negate the threshold voltage change induced by plasma treatment.

著者

Tatara Shingo Kuzumoto Yasutaka Kitamura Masatoshi

出版者

Institute of Physics

雑誌

Jpn. J. Appl. Phys. (ISSN:00214922)

巻号頁・発行日

vol.55, no.3, 2016-01-15

被引用文献数

19

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The surface properties, including work function and wettability, of Au and Ag surfaces modified with various substituted benzenethiols have been investigated. Whereas the work functions of the modified Au surfaces ranged from 4.42 to 5.48 eV, those of the modified Ag surfaces ranged from 3.99 to 5.77 eV. The highest work function of 5.77 eV was obtained on the Ag surface modified with pentafluorobenzenethiol, and the lowest work function of 3.99 eV was obtained on the Ag surface modified with 4-methylbenzenethiol. The water contact angle on modified Au surfaces was found to be in a wide range from 30.9 to 88.3°. The water contact angle on the Au surface modified with a substituted benzenethiol was close to that on the Ag surface modified with the same benzenethiol. Furthermore, the tension of the modified Au surfaces was estimated from their contact angles of water and ethylene glycol.

著者

Kitani Asahi Kimura Yoshinari Kitamura Masatoshi Arakawa Yasuhiko

出版者

Institute of Physics

雑誌

Jpn. J. Appl. Phys. (ISSN:00214922)

巻号頁・発行日

vol.55, no.3, 2016-01-07

被引用文献数

9

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The threshold voltage in p-channel organic thin-film transistors (TFTs) having dinaphthothienothiophene as a channel material has been investigated toward their applicability to logic circuits. Oxygen plasma treatment of the gate dielectric surface was carried out to control the threshold voltage. The threshold voltage changed in the range from −6.4 to 9.4 V, depending on plasma treatment time and the thickness of the gate dielectric. The surface charge after plasma treatment was estimated from the dependence of the threshold voltage. Operation of logic inverters consisting of TFTs with different threshold voltages was demonstrated as an application of TFTs with controlled threshold voltage.

著者

龍 昌治

出版者

愛知大学情報メディアセンター

雑誌

Com=コム:愛知大学情報メディアセンター紀要 = Journal of Aichi University Media Center (ISSN:13450093)

巻号頁・発行日

no.20(1), pp.40-51, 2010-02

著者

藪垣 将

出版者

日本家族心理学会

雑誌

家族心理学研究 (ISSN:09150625)

巻号頁・発行日

vol.29, no.2, pp.128-141, 2015-12

著者

松野 航大 野末 武義

出版者

日本家族心理学会

雑誌

家族心理学研究 (ISSN:09150625)

巻号頁・発行日

vol.29, no.2, pp.114-127, 2015-12

著者

石 晓玲

出版者

日本家族心理学会

雑誌

家族心理学研究 (ISSN:09150625)

巻号頁・発行日

vol.29, no.2, pp.99-113, 2015-12

著者

阿部 美穂子

出版者

日本家族心理学会

雑誌

家族心理学研究 (ISSN:09150625)

巻号頁・発行日

vol.29, no.2, pp.85-98, 2015-12

著者

大城 諒士 我那覇 和奎 原田 繁実 金子 英治

出版者

一般社団法人 電気学会

雑誌

電気学会論文誌. B (ISSN:03854213)

巻号頁・発行日

vol.136, no.2, pp.184-191, 2016

被引用文献数

3

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In EMTP, it is very hard to simulate a vertically arranged cable, since its surge impedance gradually changes with the distance from the ground to a top point. In the past, some researches about surge impedances and responses of vertical conductor (for example transmission tower, concrete pole and so on.) have been carried out, these researches are being continued now. However, there is no model of vertical co-axial cable in EMTP. In order to analyze surge voltage arisen on the electrical system, approach of method for treating this model in EMTP is required. In this paper, experiments of surge impedance and response on vertical cable, method of treating for vertical co-axial cable in EMTP and accuracy confirmed as compared result of this model with analysis result of VSTL Rev. (Virtual Surge Test Lab. rev. ) which is constructed under FDTD (Finite Difference Time Domain) method, are reported.

著者

飯田 真一 太田 岳史 松本 一穂 中井 太郎 KONONOV Alexander V. MAXIMOV Trofim C. VAN DER MOLEN Michiel K. DOLMAN Albertus J. 矢吹 裕伯

出版者

日本水文科学会

雑誌

日本水文科学会誌 (ISSN:13429612)

巻号頁・発行日

vol.45, no.4, pp.109-121, 2016

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シベリアのカラマツ林を対象として林床面上および林冠上において渦相関法を適用し,下層植生および全生態系からの蒸発散量を計測した。そして,これらの旬積算値の年々差を評価した。その結果,旬蒸発散量の年々差は全生態系で-11.0 mm~9.5 mm,下層植生で-2.4 mm~4.7 mmと見積もられ,この値は月蒸発散量の平均値の20~30%に相当しており,本林分では顕著な旬蒸発散量の年々差が発生することが明らかとなった。この要因を検討するため,Penman-Monteith式の放射項と移流項の年々差との相関を解析したところ,本林分の低い乖離率を反映して,蒸発散量の年々差は移流項の年々差によって説明されることが分かった。そして,移流項の年々差を生じさせる要素としては,飽差の差異とそれに伴う表面コンダクタンスの変化が重要である。